[發(fā)明專(zhuān)利]全自動(dòng)大型平板PECVD氮化硅覆膜制備系統(tǒng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910011028.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101851748A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙科新;趙崇凌;李士軍;洪克超;段鑫陽(yáng);張振厚;張冬;張健;徐寶利;鐘福強(qiáng);奚建平;高振國(guó);崔秀偉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/34 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/34;C23C16/54;C23C16/44;H01L21/205;H01L31/18 |
| 代理公司: | 沈陽(yáng)科苑專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 許宗富;周秀梅 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 全自動(dòng) 大型 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 制備 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏電池片薄膜制備裝置,具體地說(shuō)是一種多腔室在真空條件下連續(xù)工作的全自動(dòng)大型平板PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition)氮化硅覆膜制備系統(tǒng)。
背景技術(shù)
為了提高光伏晶硅電池光電轉(zhuǎn)換效率,需要在光伏晶硅電池表面制備減反射薄膜;而制備減反射薄膜主要采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法(即PECVD方法),同時(shí)采用PECVD方法還可起到鈍化作用,降低光伏電池組件的衰減速度。PECVD方法是制備薄膜材料的幾種方法中技術(shù)最為成熟、操作較為簡(jiǎn)單的一種,連續(xù)自動(dòng)化生產(chǎn),可以實(shí)現(xiàn)無(wú)人化生產(chǎn),同時(shí)在制備超大面積薄膜均勻性方面表現(xiàn)更為突出。現(xiàn)階段在光伏領(lǐng)域使用的制備減反射薄膜的設(shè)備有兩種,一種為管式結(jié)構(gòu)的PECVD設(shè)備,這種結(jié)構(gòu)的設(shè)備單次生產(chǎn)時(shí)間過(guò)長(zhǎng),導(dǎo)致產(chǎn)量很低,沒(méi)有連續(xù)生產(chǎn)的能力;另一種為進(jìn)口多腔室平板式PECVD設(shè)備,可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn),但設(shè)備龐大,價(jià)格成本很高。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有制備減反射薄膜設(shè)備存在的上述問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種多腔室在真空條件下工作、組合式的全自動(dòng)大型平板PECVD氮化硅覆膜制備系統(tǒng)。
本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明包括自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)、預(yù)熱室、PECVD室、冷卻室及自動(dòng)傳輸卸載臺(tái),其中預(yù)熱室、PECVD室及冷卻室依次安裝在臺(tái)架上,自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)與預(yù)熱室相連,自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)與冷卻室相連;預(yù)熱室、PECVD室及冷卻室分別通過(guò)氣體管路連接有真空抽氣系統(tǒng)。
其中:所述預(yù)熱室可為多個(gè),串聯(lián)連接于自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)與PECVD室之間;所述冷卻室可為多個(gè),串聯(lián)連接于PECVD室與自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)之間;PECVD室可為多個(gè),串聯(lián)連接于預(yù)熱室與冷卻室之間;所述預(yù)熱室、PECVD室及冷卻室分別通過(guò)螺栓安裝在各自的臺(tái)架上,各臺(tái)架之間通過(guò)螺栓連接,自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)與承載預(yù)熱室的臺(tái)架通過(guò)螺栓相連接,自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)與承載冷卻室的臺(tái)架通過(guò)螺栓相連接;在自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)及自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)上加設(shè)有機(jī)械手。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與積極效果為:
本發(fā)明采用組合式多腔室在真空條件下工作的全自動(dòng)大型平板PECVD氮化硅覆膜制備系統(tǒng),在工作的情況下,同樣能夠達(dá)到管式PECVD和進(jìn)口平板式PECVD的技術(shù)指標(biāo),具體如下:
1.可無(wú)人全自動(dòng)或手動(dòng)實(shí)現(xiàn)光伏電池片氮化硅(SiNx)薄膜制備,全程用工業(yè)微機(jī)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。
2.更高的性能價(jià)格比。
3.產(chǎn)能30MW/年(1700片/每小時(shí)),產(chǎn)能可提高一倍。
4.膜厚均勻性片內(nèi)(125mm×125mm)≤±3%,片間≤±4%,批間≤±5%。
5.折射率范圍:2.0~2.1批次的一致性:±5%。
6.具有完善的報(bào)警功能及安全互鎖裝置。
7.真空干式清理。
8.成膜溫度300~400℃連續(xù)可調(diào)。
9.可根據(jù)用戶(hù)量身定制多腔體多工位組合適用于各種光伏晶硅片薄膜制備。
10.操作簡(jiǎn)單,連續(xù)自動(dòng)化,可以實(shí)現(xiàn)無(wú)人化生產(chǎn)。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
其中:1為自動(dòng)傳輸裝載臺(tái),2為預(yù)熱室,3為PECVD室,4為冷卻室,5為自動(dòng)傳輸卸載臺(tái),6為真空抽氣系統(tǒng),7為氣體管路,8為承載板。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳述。
如圖1所示,本發(fā)明包括自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)1、預(yù)熱室2、PECVD室3、冷卻室4及自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)5,其中預(yù)熱室2、PECVD室3及冷卻室4依次安裝在臺(tái)架上,預(yù)熱室2、PECVD室3及冷卻室4分別與各自的臺(tái)架通過(guò)螺栓連接,各臺(tái)架之間通過(guò)螺栓連接,自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)1與承載預(yù)熱室2的臺(tái)架通過(guò)螺栓相連接,自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)5與承載冷卻室4的臺(tái)架通過(guò)螺栓相連接。預(yù)熱室2、PECVD室3及冷卻室4分別通過(guò)氣體管路7連接有真空抽氣系統(tǒng)6。為了達(dá)到生長(zhǎng)多層薄膜的目的,本發(fā)明中的預(yù)熱室2、PECVD室3及冷卻室4可分別擴(kuò)展為多個(gè),串聯(lián)連接,安裝時(shí)需要保證相同的腔室串聯(lián)連接后再與其他腔室串聯(lián)連接;即,預(yù)熱室2若為多個(gè),多個(gè)預(yù)熱室2串聯(lián)連接后再串聯(lián)連接于自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)1與PECVD室3之間;PECVD室3若為多個(gè),多個(gè)PECVD室3串聯(lián)連接后再串聯(lián)連接于預(yù)熱室2與冷卻室4之間;多個(gè)冷卻室4若為多個(gè),多個(gè)冷卻室4串聯(lián)連接于PECVD室3與自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)5之間。
本發(fā)明也可以根據(jù)用戶(hù)對(duì)工藝流程的要求不同在自動(dòng)傳輸裝載臺(tái)1及自動(dòng)傳輸卸載臺(tái)5上加設(shè)有機(jī)械手,進(jìn)行裝卸光伏晶硅片,實(shí)現(xiàn)無(wú)人全自動(dòng)化生產(chǎn)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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