[發(fā)明專利]圖形形成方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910006588.0
• 申請日: 2009-02-19
• 公開（公告）號: CN101521152A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 光岡一行;村松誠;巖下光秋
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/768;H01L21/311;G03F7/26
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種圖形形成方法，其特征在于，該圖形形成方法包括以下工序：

在具有凹凸的基底層上沿著該基底層的凹凸形成催化劑膜的工序；

在上述催化劑膜上涂布流動性材料而形成涂布膜的工序；

使上述涂布膜沿著上述催化劑膜進行反應(yīng)，在上述涂布膜內(nèi)形成不溶解于溶劑中的不溶化層工序；

以及使用上述溶劑除去上述涂布膜的未反應(yīng)部分，而殘留下上述不溶化層的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述催化劑膜的催化劑為堿性催化劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述堿性催化劑是氨基系偶聯(lián)劑，

上述流動性材料是被上述氨基系偶聯(lián)劑甲硅烷化的SOG、或利用上述氨基系偶聯(lián)劑來抑制可溶性的正性抗蝕劑、或利用上述氨基系偶聯(lián)劑使交聯(lián)度發(fā)生變化的MSQ系SOD。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述堿性催化劑是氨基系偶聯(lián)劑，

上述流動性材料是被上述氨基系偶聯(lián)劑縮聚的密胺樹脂或尿素樹脂、或環(huán)氧樹脂、或聚氨脂樹脂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述催化劑膜的催化劑為酸性催化劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述酸性催化劑是光致產(chǎn)酸劑，

上述流動性材料是被酸不溶化的負性抗蝕劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述酸性催化劑是光致產(chǎn)酸劑，

上述流動性材料是被酸不溶化且未含有光致產(chǎn)酸劑的抗蝕劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述催化劑膜的催化劑為金屬催化劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述金屬催化劑是氯化鐵，

上述流動性材料是被上述氯化鐵縮聚的密胺樹脂。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

從難溶解于上述流動性材料的溶劑中的催化劑中選出上述催化劑膜的催化劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

從使上述催化劑膜的催化劑難以溶解的溶劑中選出上述流動性材料的溶劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

在形成上述涂布膜前，實施提高上述基板與上述催化劑膜的緊密接合性的處理。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述催化劑膜的膜厚為10nm以下。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

上述催化劑膜的膜厚為1nm以下。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

使上述催化劑膜在上述基板的凹凸上保形地成膜。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖形形成方法，其特征在于，

在上述催化劑膜的催化劑上具有與上述基板結(jié)合的結(jié)合位置。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖形形成方法，其特征在于，

使用堆積技術(shù)和氣體吸附技術(shù)形成上述催化劑膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，

從在沒有上述催化劑膜的催化劑的狀態(tài)下自身不發(fā)生反應(yīng)的材料中選出上述流動性材料。

19.一種圖形的形成方法，其特征在于，

使用上述權(quán)利要求1至18中任一項所述的圖形形成方法，在上述基底層上的具有凹凸的犧牲膜圖形上形成上述不溶化層，

對上述不溶化層進行蝕刻，使上述犧牲膜圖形的頂部從上述不溶化層的頂部露出，

從上述露出的犧牲膜圖形的頂部將上述犧牲膜圖形除去，并殘留下上述不溶化層。

20.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

使用上述權(quán)利要求1至18中任一項所述的圖形形成方法，在上述基底層上的具有凹凸部的犧牲膜圖形上形成上述不溶化層，

對上述不溶化層進行蝕刻，使上述犧牲膜圖形的頂部從上述不溶化層的頂部露出，

從上述露出犧牲膜圖形的頂部將上述犧牲膜圖形除去，并殘留下上述不溶化層，

將上述不溶化層用作掩膜，對上述基底層進行蝕刻，而將上述基底層加工成規(guī)定的圖形。