[發(fā)明專利]具有改進(jìn)的分隔板的對式鍍膜裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910005136.0 | 申請日: | 2009-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN101503795A | 公開(公告)日: | 2009-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 漢斯·沃爾夫;奧利弗·海梅爾;喬治·克爾帕爾-海斯;弗蘭克·弗徹斯 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C16/54;C23C14/34;C23C14/35;C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 王安武;南 霆 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 改進(jìn) 隔板 鍍膜 裝置 | ||
1.一種鍍膜裝置,用于為基底鍍膜,所述鍍膜裝置包括:
至少兩個(gè)彼此相鄰布置的處理室,兩個(gè)相鄰的所述處理室之間的分隔 板,以及用于為所述處理室抽真空的泵裝置,其中
所述分隔板包括導(dǎo)管,其具有至少兩端,其中的一端連接到所述泵裝 置,并且另一端具有用于兩個(gè)所述處理室的至少一個(gè)抽氣口,并且其中所 述分隔板被所述導(dǎo)管加強(qiáng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述分隔板具有兩側(cè),每一側(cè)分別與一個(gè)處理室相鄰,并且其中,所 述導(dǎo)管被安裝至所述分隔板的所述兩側(cè)中的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述分隔板具有兩側(cè),每一側(cè)分別與一個(gè)處理室相鄰,并且其中,所 述導(dǎo)管被設(shè)置在所述分隔板中,平行于所述分隔板的所述兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述分隔板包括雙壁結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管設(shè)置在所述分隔板的凹部中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管以氣密方式設(shè)置在所述分隔板中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管被所述分隔板分為兩個(gè)獨(dú)立的半塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管包括至少兩個(gè)獨(dú)立的分別用于每個(gè)所述處理室的抽氣口。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管包括至少一個(gè)用于相鄰的所述處理室的公共抽氣口。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述泵裝置包括汽輪泵和羅茨泵中至少一者。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述泵裝置位于所述處理室的頂部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述泵裝置位于所述處理室底部的下方。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述鍍膜裝置是直列鍍膜裝置,其具有并排設(shè)置的所述處理室,從而 使所述基底相繼通過每個(gè)所述處理室。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述處理室包括至少一個(gè)鍍膜設(shè)備,至少一個(gè)所述導(dǎo)管被設(shè)置為橫向 偏離于所述鍍膜設(shè)備。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鍍膜裝置,其中
運(yùn)輸設(shè)備被設(shè)置,用于限定將要被鍍膜的所述基底通過一排所述處理 室的通道,至少一個(gè)鍍膜設(shè)備和至少一個(gè)所述導(dǎo)管沿相繼通過各個(gè)所述處 理室的所述通道設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管在所述處理室的高度的一半以上延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管在所述處理室的高度的三分之二以上延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管在所述處理室的高度的一半以下延伸。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
所述導(dǎo)管在所述處理室的高度的三分之一以下延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
運(yùn)輸設(shè)備被設(shè)置,用于運(yùn)輸將要在垂直位置被鍍膜的較大的平板基 底,其中所述基底的平面在與垂直方向成-25度至25度的角度范圍內(nèi)相對 于垂直方向布置。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
設(shè)置在所述處理室中的鍍膜設(shè)備包括能執(zhí)行至少以下一種功能的設(shè) 備:濺射、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)以及物理氣相沉積 (PVD)。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置,其中
鍍膜設(shè)備設(shè)置在與所述分隔板相對的一側(cè)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





