[發明專利]電致發光顯示面板、電子設備和電致發光顯示面板驅動方法有效
| 申請號: | 200910004636.2 | 申請日: | 2009-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN101520985B | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 山本哲郎;內野勝秀 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32;G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 郭定輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電致發光 顯示 面板 電子設備 驅動 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本發明包括關于2008年2月28日在日本專利局提交的日本專利申請JP 2008-048258的主題,將其全部內容完全包括于此并作為參考。
技術領域
在該專利說明書中描述的本發明涉及采用有源矩陣驅動系統驅動/控制 的有機EL(電致發光)顯示面板,并涉及用于驅動該有機EL顯示面板的驅 動技術。注意到,在該專利說明書中描述的本發明具有三個模式,即,有機 EL顯示面板、采用該有機EL顯示面板的電子設備和用于驅動該有機EL顯 示面板的方法。
背景技術
圖1是示出采用有源矩陣驅動方法驅動/控制的有機EL顯示面板1的總 體電路框圖。如圖1的電路框圖所示,有機EL顯示面板1采用像素陣列部 分3、信號寫入控制線驅動部分5和水平選擇器7。注意到,像素陣列部分3 包括像素電路9,每個像素電路9位于信號線DTL和寫入控制線WSL的交 叉處。
順便提及,在每個像素電路9中采用的有機EL裝置是根據流到其的電 流發光的發光裝置。由此,有機EL顯示面板1采用通過流過有機EL裝置的 電流的調整控制像素的灰度(gradation)的方法。圖2是示出由信號線DTL 連接到水平選擇器7和由寫入控制線WSL連接到信號寫入控制線驅動部分5 的像素電路9的最簡單的電路配置的框圖。如圖2的框圖所示,除了有機EL 裝置OLED之外,像素電路9還包括采樣晶體管T1、驅動晶體管T2和信號 保持電容器Cs。
注意到,采樣晶體管T1是用于控制將對應于像素電路9的灰度值的信 號電位Vsig存儲在信號保持電容器Cs中的操作的TFT(薄膜晶體管)。另一 方面,驅動晶體管T2是用于基于驅動晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs將驅動 電流Ids供給到有機EL裝置OLED的薄膜晶體管,且驅動晶體管T2的柵極 -源極電壓Vgs由在信號保持電容器Cs中存儲的信號電位Vsig確定。驅動電 流Ids是在驅動晶體管T2的漏極和源極之間流動的電流,而柵極-源極電壓 Vgs是在驅動晶體管T2的柵極和源極之間出現的電壓。在圖2中的框圖中所 示的像素電路9的情況下,采樣晶體管T1是N溝道型的薄膜晶體管,而驅 動晶體管T2是P溝道型的薄膜晶體管。
在如圖2的框圖所示的像素電路9的情況下,驅動晶體管T2的源極通 過在本專利說明書中也被稱為電源線的電流供給線連接到固定的電源電位 Vcc。驅動晶體管T2典型地在飽和區域中工作。就是說,驅動晶體管T2用 作恒流源,其用于將具有由信號電位Vsig確定的量值(magnitude)的驅動電 流Ids供給到有機EL裝置OLED。該驅動電流Ids由下面等式表示:
Ids=k·μ·(Vgs-Vth)2/2
在上述等式中,參考符號μ表示在驅動晶體管T2中多數載流子的遷移 率(mobility),而參考符號Vth表示驅動晶體管T2的閾值電壓。另一方面, 參考符號k表示由表達式(W/L)·Cox表示的系數,其中參考符號W表示驅 動晶體管T2的溝道寬度,參考符號L表示驅動晶體管T2的溝道長度,且參 考符號Cox表示驅動晶體管T2的每單位面積柵極電容。
注意到,已知在具有圖2的框圖所示的配置的像素電路9中采用的驅動 晶體管T2展現出由于老化過程而改變的漏極-電壓特性,其根據如圖3的曲 線圖所示的作為I-V特性的改變而改變,該I-V特性表示在上述提到的驅動 電流Ids和在有機EL裝置OLED的陽極和陰極之間施加的電壓的關系,該關 系作為由于老化過程而隨著時間的經過改變的關系。因為驅動晶體管T2的柵 極-源極電壓Vgs由信號保持電容器Cs保持在固定電平,但是,供給到有機 EL裝置OLED的驅動電流Ids的量值不改變,所以這允許將由有機EL裝置 OLED發出的光的亮度保持在恒定值。
在該專利說明書中使用的用作有關采用有源矩陣驅動方法的有機EL面 板顯示器的文件的文件如下所列:?日本專利特平開Nos.2003-255856、 2003-271095、2004-133240、2004-029791和2004-093682。
發明內容
順便提及,取決于用于創建像素電路9的薄膜處理的類型,像素電路9 在某些情況下可不采用如圖2的框圖所示的典型電路配置。就是說,在流行 的薄膜處理中,在某些情況下可能不創建P溝道型的薄膜晶體管。在這種情 況下,代替地使用N溝道型薄膜晶體管作為驅動晶體管T2。
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