[發(fā)明專利]橫向電場(chǎng)型液晶顯示器裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910002109.8
• 申請(qǐng)日: 2009-01-15
• 公開（公告）號(hào): CN101487958A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木照晃;伊藤英毅;高橋聰之助;西田真一;坂口嘉一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: NEC液晶技術(shù)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 孫紀(jì)泉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)裝置，且更具體地，涉及一種諸如面 內(nèi)切換(In-Plane?Switching)(IPS)型之類的橫向電場(chǎng)型有源矩陣尋址LCD裝 置。本發(fā)明應(yīng)用于監(jiān)視器，該監(jiān)視器設(shè)計(jì)成用于使用橫向電場(chǎng)型LCD裝置 的計(jì)算機(jī)、LCD電視、便攜電話終端、全球定位系統(tǒng)(GPS)終端、汽車導(dǎo)航 系統(tǒng)、視頻游戲機(jī)、位于銀行或便利店的自動(dòng)取款機(jī)(ATM)終端、醫(yī)療診斷 設(shè)備等。

背景技術(shù)

通常，LCD裝置具有諸如輪廓小、重量輕和低能耗的特性。特別地， 利用有源元件驅(qū)動(dòng)垂直和水平設(shè)置在矩陣陣列中的各像素的有源矩陣尋址 LCD裝置被認(rèn)為是高圖像質(zhì)量的平板顯示裝置。特別地，使用薄膜晶體管 (TFTs)作為用于切換各個(gè)像素的有源元件的有源矩陣尋址LCD裝置已經(jīng)廣 為流行。

多數(shù)有源矩陣尋址LCD裝置使用由兩個(gè)基板夾在中間的TN(Twisted Nematic，扭曲向列)類型的液晶材料的電光效應(yīng)，通過橫跨液晶材料施加 近似垂直于基板的主表面的電場(chǎng)，從而使所述材料的液晶分子位移來顯示 圖像。這些LCD裝置被稱作“垂直電場(chǎng)”類型。另一方面，一些有源矩陣 尋址LCD裝置通過橫跨液晶材料施加近似平行于基板的主表面的電場(chǎng)，從 而使所述材料的液晶分子在與主表面平行的平面中位移來顯示圖像。這些 LCD裝置也已公知，被稱作“橫向電場(chǎng)”類型。不僅對(duì)垂直電場(chǎng)類型的LCD 裝置而且也對(duì)橫向電場(chǎng)型的LCD設(shè)備進(jìn)行了多種改進(jìn)。下面將舉例說明對(duì) 后者的一些改進(jìn)。

例如，2000年3月31日公開的專利文件1(日本未審查專利公開No. 2000-089240)和2004年2月26日公開的專利文件2(日本未審查專利公開 No.2004-062145)公開了橫向電場(chǎng)型LCD裝置，其中每個(gè)橫向電場(chǎng)型的LCD 裝置包括以這樣一種方式覆蓋有公共電極或電極的漏極總線和柵極總線， 該方式是中間絕緣薄膜介于所述漏極總線和柵極總線之間。在專利文件2 中公開的所述LCD裝置的結(jié)構(gòu)在圖1、2A至2C和3中示出。

圖1是示出所述LCD裝置的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖2A、 2B和2C是示出分別組成所述有源矩陣基板的三層的結(jié)構(gòu)的俯視圖，及圖3 是示出所述有源矩陣基板的柵極總線的詳細(xì)的鄰近結(jié)構(gòu)的局部放大俯視 圖。由于有源矩陣尋址LCD裝置的所有像素具有相同的結(jié)構(gòu)，在圖1至3 中示出一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。

如在圖2A、2B和2C中清楚示出的，圖1中示出的相關(guān)技術(shù)的LCD 裝置的有源矩陣基板包括形成在透明絕緣板(如玻璃板)上的同一層中的柵 極總線155和公共總線152；形成在柵極絕緣薄膜(未示出)上的同一層的漏 極總線156、像素電極171、TFTs?145和存儲(chǔ)電容電極173，該柵極絕緣薄 膜覆蓋柵極總線155和公共總線152；及形成在保護(hù)絕緣薄膜(未示出)上的 公共電極172，該保護(hù)絕緣薄膜覆蓋所述漏極總線156、所述像素電極171 所述TFT5145和所述存儲(chǔ)電容電極173。通常，通過圖案化例如銦錫氧化 物(ITO)組成的透明導(dǎo)電金屬薄膜，分別形成所述像素電極171和所述公共 電極172。

沿著圖1的橫向(水平)方向以相同的間隔相互平行延伸的所述柵極總 線155和沿著同一圖的縱向(垂直)方向以相同的間隔相互平行延伸的所述 漏極總線156限定矩形區(qū)域。這些矩形區(qū)域中的每一個(gè)形成像素區(qū)域。這 些像素區(qū)域(如各像素)作為整體配置成矩陣陣列。所述TFTs145中的每一 個(gè)位于由限定每個(gè)像素區(qū)域的兩條柵極總線155和兩條漏極總線156形成 的交叉點(diǎn)中的一個(gè)(如，在圖1中的左下方的交叉點(diǎn))交叉點(diǎn)附近。與所述柵 極總線155類似，所述公共總線152沿著同一圖中所述橫向方向平行于所 述柵極總線155延伸。每條公共總線152在所述像素區(qū)域中位于與所述TFT 145相反的側(cè)(如在圖1中的上端)。換句話說，它設(shè)置為靠近所述兩條柵極 總線155中位于所述像素區(qū)域中的所述TFT?145的遠(yuǎn)側(cè)的那一條柵極總線 (如所述兩條柵極總線155在圖1中的上部位置)。因此，可以說，每條公共 總線152沿著遠(yuǎn)離所述TFTs?145的所述漏極總線156的延伸方向(如，所述 垂直方向)位于存在于向上與之臨近的前述像素區(qū)域中的所述TFTs?145附 近。