[發(fā)明專利]制備和組裝基材的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910001319.5
• 申請日: 2004-10-14
• 公開（公告）號: CN101494169A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 貝爾納·阿斯帕爾;克里斯特勒·拉賈赫-布朗夏爾
• 申請（專利權(quán)）人: 特拉希特技術(shù)公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 蔡勝利

1.一種用于移植被稱作移植層的材料或電路或元件層(16， 28)的方法，該移植層形成在第一晶片材料(12，22)中，并且 該移植層的表面與第一晶片材料的表面平齊，所述方法包括：

鉆挖所述第一晶片材料(12，22)經(jīng)過一厚度(ed)，其中所 述移植層至少在其外周周圍或外周被進(jìn)行鉆挖，所述厚度(ed) 小于所述第一晶片厚度(e)但大于所述移植層(16，28)的厚度；

將該移植層移植到第二晶片材料(14，24)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶片 預(yù)先被覆蓋保護(hù)層(18)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在鉆挖所述第 一晶片之前，所述保護(hù)層在位于所述第一晶片的待鉆挖區(qū)域上方 的區(qū)域中被局部消除。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層的 局部消除通過光刻和蝕刻完成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在鉆挖所述第 一晶片之后，所述保護(hù)層(18)被消除。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于，所 述移植層的一部分材料在鉆挖過程中被消除。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于，所 述第一晶片被倒角，并且至少包括一個倒角邊緣(5)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于，在 寬度(Ld)上實施所述鉆挖步驟，其中所述寬度(Ld)是在與所 述第一晶片所在的平面平行的平面上測得的，并且至少等于在同 一平面上測得的倒角邊緣的寬度(L)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于，在 組裝所述第一和第二晶片之后，包括附加的鉆挖步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于， 在1μm至100μm的第一晶片厚度(ed)上實施所述鉆挖步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于， 在寬度(Ld)上實施所述鉆挖步驟，其中所述寬度(Ld)是在與 所述第一晶片所在的平面平行的平面上測得的，并且至少等于所 述第一晶片的、如不鉆挖就不可實現(xiàn)與所述第二晶片組裝的區(qū)域 的寬度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于， 在100μm至5mm的寬度(Ld)上實施所述鉆挖步驟，其中所述 寬度(Ld)是在與所述第一晶片所在的平面平行的平面上測得的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于， 所述第一晶片具有在所述晶片中限定出薄層的脆化面(26)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一晶 片被鉆挖經(jīng)過大于所述薄層厚度的厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，包括隨后的 步驟：

通過沿著所述脆化面分離所述第一晶片的減薄步驟，以至于 在所述第二晶片上留下薄層，并且留出所述第一晶片的自由部分 (23)；

在相對于所述第一晶片保持自由的部分(23)中新形成新脆 化面的步驟；

將該部分(23)與第三晶片組裝的步驟。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述脆化面 通過以下方式而完成，即通過離子植入或者通過形成埋入式多孔 區(qū)或者通過形成可去除的粘結(jié)界面。

17.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于， 所述第一晶片包括橫向臺肩(25)，其中所述臺肩在所述鉆挖步驟 中被消除。

18.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于， 所述第一和第二晶片的組裝通過分子粘合或者通過使用膠粘劑物 質(zhì)的粘結(jié)而完成。