[發明專利]用于生產熱電部件的方法和熱電部件

有效

• 申請號: 200880127400.1
• 申請日: 2008-12-10
• 公開（公告）號: CN101952985A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: J·科尼格;U·維特;C·馬泰斯
• 申請（專利權）人: 弗勞恩霍弗應用技術研究院
• 主分類號: H01L35/08
• 分類號: H01L35/08;H01L35/34
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于生產包括至少一對熱電支柱的熱電部件的方法，所述熱電部件包括n支柱(2)和p支柱(3)，所述支柱(2，3)均熔焊到電傳導接觸材料(4)，其特征在于，所述成對支柱的所述n支柱(2)和所述p支柱(3)在單獨熔焊步驟中熔焊到所述接觸材料(4)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，相互獨立地設置用于熔焊所述n支柱(2)的熔焊參數和用于熔焊所述p支柱(3)的熔焊參數。

3.根據權利要求1或者2所述的方法，其特征在于，所述支柱(2，3)至少在它們在縱向方向(L)上的末端之一處包括與所述接觸材料(4)接觸的接觸表面，并且在所述接觸表面上和/在所述相應支柱(2，3)的所述接觸表面這一側進行所述n支柱(2)的熔焊和/或所述p支柱(3)的熔焊。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述相應支柱(2，3)的整個接觸表面上進行所述n支柱(2)的熔焊和/或所述p支柱(3)的熔焊。

5.根據權利要求1至4中的至少一個所述的方法，其特征在于，所述接觸材料(4)包括在一個或者多個熔焊步驟中相互接合和/或與所述相應支柱(2，3)接合的、優選為不同材料的多個層。

6.根據權利要求1至5中的至少一個所述的方法，其特征在于，所述接觸材料(4)或者其上提供的層與所述p支柱(3)的材料和/或其上提供的反應層起物理化學反應和/或與所述n支柱(2)的材料和/或其上提供的反應層起物理化學反應，并且所述反應層由Ta、W、Mo、Nb、Ti、Cr、Pd、V、Pt、Rh、Re、Cu、Ag、Ni、Fe、Co、Al、In、Sn、Pb、Te、Sb、Bi、Se、S、Au、Zn、Si或者Ge這些元素中的至少一種獨自地或者與另一元素組合構成。

7.根據權利要求1至6中的至少一個所述的方法，其特征在于，在所述相應熔焊步驟之前和/或期間將所述接觸材料(4)按壓到待熔焊的所述支柱(2，3)上。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，通過至少一個熔焊電極將所述接觸材料(4)按壓到待熔焊的所述支柱(2，3)上。

9.根據權利要求1至8中的至少一個所述的方法，其特征在于，通過阻抗熔焊將所述成對支柱的所述n支柱(2)和所述p支柱(3)單獨地熔焊到所述接觸材料(4)。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，通過間隙熔焊將所述成對支柱的所述n支柱(2)和所述p支柱(3)熔焊到所述接觸材料(4)。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，使所述接觸材料(4)與所述對應支柱(2，3)接觸，并且按照待熔焊的所述支柱(2，3)的寬度(B2，B3)來設置與所述接觸材料(4)接觸的間隙電極(14)的間隙(BE)。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，使所述接觸材料(4)與所述對應支柱(2，3)接觸，并且將與所述接觸材料(4)接觸的間隙電極(14)的間隙(BE)設置成比待熔焊的所述支柱(2，3)的寬度(B2，B3)更寬。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述接觸材料(4)在待熔焊的所述支柱(2，3)的徑向方向上至少部分地圍繞所述支柱(2，3)的一端。

14.根據權利要求11或者12所述的方法，其特征在于，所述間隙電極(14)在待熔焊的所述支柱(2，3)的縱向方向(L)上與所述接觸材料(4)接觸。

15.根據權利要求1至14中的至少一個所述的方法，其特征在于，在真空之下或者在惰性氣體氛圍中進行熔焊。

16.根據權利要求1至8中的至少一個所述的方法，其特征在于，通過惰性氣體熔焊、優選地通過MIG熔焊、鎢惰性氣體熔焊、MAG熔焊、等離子體熔焊或者氫熔焊將所述成對支柱的所述n支柱(2)和/或所述p支柱(3)熔焊到所述接觸材料(4)。

17.根據權利要求1至8中的至少一個所述的方法，其特征在于，通過激光束熔焊將所述成對支柱的所述n支柱(2)和/或所述p支柱(3)熔焊到所述接觸材料(4)。

18.根據權利要求1至17中的至少一個所述的方法，其特征在于，在熔焊之前預熱待熔焊的所述支柱(2，3)和/或所述接觸材料(4)。