[發明專利]用于制造多個芯片的方法和相應地制造的芯片

無效

• 申請號: 200880106772.6
• 申請日: 2008-07-24
• 公開（公告）號: CN101803003A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: T·克拉默;M·伯林格;S·平特;H·本澤爾;M·伊林;F·哈格;S·安布魯斯特
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 侯鳴慧

技術領域

本發明涉及一種用于制造多個芯片的方法，這些芯片的功能性基于基底的表面層實現。在該方法的范圍中，基底的表面層被結構化并且在該表面層下方產生至少一個空腔，使得單獨的芯片區域僅通過懸掛短臂相互連接和/或與其余的基底連接和/或通過空腔的區域中的支撐元件與該空腔下方的基底層連接。在制造過程結束時在分離芯片的過程中，這些懸掛短臂和/或支撐元件被分開。本發明還涉及一種相應地制造的芯片。

背景技術

半導體芯片的功能性的過程處理(Prozessierung)通常不是單獨地、而是對多個半導體芯片同時地、以復合體的方式在半導體晶片上進行。在一個這樣的晶片上可以視芯片大小和晶片大小而定設置數千個結構元件，這些結構元件隨后必須在制造方法結束時分開。

在德語公開文獻DE?103?50?036?A1中描述了一種方法，通過該方法應當使芯片的分開變得簡單。該方法尤其是允許即便在制造變薄的芯片時也能使用，這些變薄的芯片的功能性僅在半導體基底的一個表面層中實現。在此，側向的芯片邊界借助蝕刻槽確定，這些蝕刻槽完全穿透所述基底的表面層。此外，通過表面微機械的方法在該表面層下方產生一些空腔，使得單獨的芯片區域僅僅通過空腔區域中的支撐元件與該空腔下方的基底層連接。為了分離這些芯片，所述支撐元件然后被機械地分開，例如以單芯片裝配的范圍內的裁取工藝進行分開。

根據已知方法制造的芯片的表面是沒有保護的。這些表面隨后必須單獨地，也就是說依次地鈍化。這在實踐中、尤其是在芯片極其薄的情況下被認為是有問題的。

發明內容

通過本發明提出了一種用于芯片的制造方法，在該方法中，以晶片復合體的方式，即對多個設置在一個晶片上的芯片并行地執行盡可能多的方法步驟。

為此，在開頭所述類型的方法中，按本發明在分離芯片之前將基底的結構化的且下方挖空的表面層嵌入到塑料質量中。

也就是說，在按本發明的方法的范圍中，所有的芯片都在過程處理結束時在一個唯一的過程步驟中在晶片層上被設置塑料封裝物。即按本發明認識到，如開頭所述的結構化的表面層(該表面層僅通過懸掛短臂和/或支撐元件與支撐基底連接)這樣地在很大程度上嵌入到塑料中，使得所獲得的塑料包套為這些芯片形成良好的表面鈍化部。此外，該塑料包套尤其是在芯片非常薄的情況下明顯簡化了在接下來的分離和裝配過程中的處理操作。

為了按本發明將芯片以晶片復合體的方式嵌入到塑料質量中，所述塑料質量不僅必須施加在結構化的表面層上，而且必須加入到結構化的表面層下方的空腔中。在按本發明的方法的一種有利變型中，為此用塑料質量對所述基底的結構化的且下方挖空的所述表面層進行注塑包封。因此，可以實現非常好的表面覆蓋，尤其是當所述注塑包封在真空下進行時。作為塑料質量可以使用例如環氧樹脂、聯二苯或也可使用多芳香烴樹脂。

特別有利的是，至少將結構化的所述表面層的形成芯片的區域與包圍該區域的塑料質量一起以一個塊的形式，即在一個唯一的過程步驟中，從其余的基底移除。為此，必須克服塑料質量和基底材料之間的附著。此外，必須將相應的懸掛短臂和/或可能的支撐元件分開。隨后可以用常規方法方便地將包覆有塑料的芯片分離，例如通過鋸割或激光切割來分離。

在按本發明的方法的一種特別有利的變型中，芯片不僅以晶片復合體的形式封裝，而且以晶片復合體的形式為倒裝芯片裝配做準備。為此，芯片區域在被嵌入到塑料質量中之前被設置焊盤。只有當設置了焊盤之后才將基底的結構化的且下方挖空的表面層嵌入到塑料質量中，更確切地說使得焊盤從塑料質量中突出。這樣封裝的芯片可以在分離之后簡單地通過使用焊盤來電接通和裝配。

附圖說明

如上面已經討論的那樣，存在各種不同的可能性來以有利的方式擴大和擴展本發明的教導。為此，一方面參照從屬于獨立權利要求1的權利要求，另一方面參照借助附圖對本發明的實施例的以下描述。

圖1a示出在表面層下方產生空腔之后基底的示意性縱剖視圖；

圖1b示出在圖1a中所示的基底在表面層下方的空腔區域中的水平剖視圖；

圖2以縱剖視圖示出在表面層的結構化之后以及在芯片表面中過程處理出電路之后在圖1a中所示的基底；

圖3以縱剖視圖示出在施加焊盤之后以及在將表面層嵌入到塑料質量中之后在圖2中所示的基底；

圖4以縱剖視圖示出在去掉用塑料包覆的表面層時在圖3中所示的基底；

圖5示出在分離之后由在圖4中所示的復合體獲得的芯片。

具體實施方式