[發明專利]電子器件的制造方法

無效

• 申請號: 200880106579.2
• 申請日: 2008-09-05
• 公開（公告）號: CN101802987A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 大見忠弘;藤村誠;小池匡;番場昭典;小林章洋;綿貫耕平
• 申請（專利權）人: 國立大學法人東北大學;宇部興產株式會社;宇部日東化成株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3205;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種電子器件的制造方法，所述電子器件具有：

基板、

在該基板上形成的透明樹脂膜、和

選擇性地埋設于該透明樹脂膜中的金屬膜，其特征在于，

所述制造方法包括：

工序1，在所述透明樹脂膜上形成多孔質涂布膜；

工序2，在所述多孔質涂布膜上形成無孔質涂布膜；

工序3，在所述透明樹脂膜、所述多孔質涂布膜及所述無孔質涂布膜 上選擇性地形成槽；

工序4，通過濺射，在包括所述槽內和所述無孔質涂布膜上的整個面 上形成金屬膜；和

工序5，通過蝕刻所述多孔質涂布膜及所述無孔質涂布膜雙方，剝離 所述無孔質涂布膜上的金屬膜，獲得所述金屬膜埋設于所述槽的構造。

2.根據權利要求1所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

所述涂布膜包括含有Si、Ti、Al、Zr的氧化物中的一種或兩種以上的 多孔質涂布膜。

3.根據權利要求1所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

所述涂布膜，包括由((CH₃)_nSiO_2-n/2)_x(SiO₂)_1-x表示的組合物中的一種或 是兩種以上，n＝1～3，x≤1。

4.根據權利要求1所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

在所述涂布膜和所述透明樹脂膜上選擇性地形成槽的工序，包括：

在所述涂布膜上設置光抗蝕劑膜的工序，

通過曝光、顯影而選擇性地去除所述光抗蝕劑膜后形成指定圖形的工 序，和

以該指定圖形的光抗蝕劑膜作為掩模，將所述涂布膜選擇性地蝕刻去 除的工序。

5.根據權利要求4所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

在所述涂布膜和所述透明樹脂膜上選擇性地形成槽的工序，進一步包 括，以所述指定圖形的光抗蝕劑膜和選擇性地蝕刻去除后剩余的涂布膜中 的至少一個作為掩模，將所述透明樹脂膜選擇性地蝕刻去除的工序。

6.根據權利要求4所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

以所述指定圖形的光抗蝕劑膜作為掩模將所述涂布膜選擇性地蝕刻 去除的工序，包括利用腐蝕性氣體的干法蝕刻工序。

7.根據權利要求5所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

在所述涂布膜和所述透明樹脂膜上選擇性地形成槽的工序，進一步包 括以所述指定圖形的光抗蝕劑膜和選擇性地蝕刻去除后剩余的涂布膜的 至少一個作為掩模、利用所述腐蝕性氣體的干法蝕刻，將所述透明樹脂膜 選擇性地蝕刻去除的工序。

8.根據權利要求6所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

所述腐蝕性氣體，包括C_xF_y氣體。

9.根據權利要求8所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

所述腐蝕性氣體，包括CF₄氣體。

10.根據權利要求8所述的電子器件的制造方法，其特征在于：

所述腐蝕性氣體包括C₅F₈氣體和O₂氣體。

11.根據權利要求1～10中的任意一項所述的電子器件的制造方法，其 特征在于：

進一步包括：在形成所述金屬膜的工序之后且在所述涂布膜蝕刻去除 之前，去除所述涂布膜的所述槽的側壁上附著的金屬膜的工序。

12.根據權利要求1～10中的任意一項所述的電子器件的制造方法，其 特征在于：

通過蝕刻去除所述涂布膜，剝離所述涂布膜上的金屬膜，獲得所述金 屬膜埋設于所述槽的構造的工序，包括利用包括氫氟酸的蝕刻液將所述涂 布膜蝕刻去除的工序。