[發(fā)明專利]制造半導體芯片的方法以及包含通過該方法獲得的半導體芯片的半導體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880104976.6 | 申請日： | 2008-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN101796629A | 公開（公告）日： | 2010-08-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙光濟;張敬豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 郭國清;樊衛(wèi)民 |
| 地址： | 美國明*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 半導體 芯片 方法 以及 包含 通過 獲得 半導體器件 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用于制造半導體芯片的方法，該方法包括：
在半導體晶片的表面上形成含氟聚合物涂層；
將所述半導體晶片切片；以及
移除所述含氟聚合物涂層，
其中所述含氟聚合物涂層由CaHbFcOdSeNf表示，其中a為 10-10,000，b為10-20,000，c為10-20,000，d為10-1,000，e為0-100， 和f為0-1,000。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氟聚合物涂層具有約 0.1μm-10μm的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述含氟聚合物涂層還 包括以下步驟：
施加包含含氟溶劑的脫涂層劑；和
清潔所述半導體晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中通過蒸氣脫脂工藝或浸漬工 藝將所述脫涂層劑施加在所述含氟涂層上。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
