[發明專利]半導體裝置及其制造方法、顯示裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200880023593.6
• 申請日: 2008-07-01
• 公開（公告）號: CN101689510A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 八木巖
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786;H01L51/05
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 吳孟秋;梁 韜

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

源電極和漏電極，設置在基板上；

絕緣隔壁，具有在所述源電極和所述漏電極之間的第一 開口和位于所述源電極的中央部和所述漏電極的中央部的第 二開口，所述第一開口到達所述基板，所述第二開口到達所述 源電極和所述漏電極，并且所述絕緣隔壁設置在所述基板上；

溝道部半導體層，設置在所述第一開口的底部上；

柵極絕緣膜，以覆蓋所述第二開口的至少一部分和包括 所述溝道部半導體層的所述第一開口的至少一部分的方式設 置在所述隔壁上；

柵電極，設置在所述柵極絕緣膜上，同時與所述溝道部 半導體層重疊；以及

半導體層，設置在所述隔壁上，

其中，所述柵極絕緣膜也設置在置于所述隔壁上的所述 半導體層上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于 連接孔，在與所述隔壁上的所述半導體層保持絕緣的情 況下到達所述源電極或者所述漏電極，并且設置在所述第二開 口的底部上的所述柵極絕緣膜和所述半導體層中，以及

配線，通過所述連接孔連接至所述源電極或者所述漏電 極，并且設置在所述柵極絕緣膜上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

層間絕緣膜設置在其上設置有所述柵電極的所述柵極絕 緣膜上，以及

配線，通過設置在所述第二開口內的所述連接孔連接至 所述源電極或者所述漏電極，并且在與所述隔壁上的所述半導 體層保持絕緣的情況下設置在所述層間絕緣膜上。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于

所述柵極絕緣膜包括層疊膜。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于

所述半導體層包括有機材料。

6.一種用于制造半導體裝置的方法，其特征在于包括以下步驟：

在基板上形成源電極和漏電極；

以覆蓋所述源電極和所述漏電極的方式在所述基板上形 成絕緣膜；

通過以下方式形成由所述絕緣膜所構成的隔壁結構：在 所述源電極和所述漏電極之間的所述絕緣膜中形成第一開口， 所述第一開口到達所述基板，并且在所述源電極的中央部和所 述漏電極的中央部的所述絕緣膜中形成第二開口，所述第二開 口到達所述源電極和所述漏電極；

以與形成在所述隔壁的頂部上的半導體層分離的方式， 在所述第一開口的底部形成由所述半導體層構成的溝道部半 導體層；

以覆蓋所述第二開口、包括所述溝道部半導體層的所述 第一開口以及所述隔壁的頂部上的所述半導體層的方式在所 述隔壁上形成柵極絕緣膜；以及

以與所述溝道部半導體層相對的方式在所述柵極絕緣膜 上形成柵電極。

7.一種顯示裝置，其特征在于包括：

源電極和漏電極，設置在基板上；

絕緣隔壁，具有在所述源電極和所述漏電極之間的第一 開口與位于所述源電極的中央部和所述漏電極的中央部的第 二開口，所述第一開口到達所述基板，所述第二開口到達所述 源電極和所述漏電極，并且所述絕緣隔壁設置在所述基板上；

溝道部半導體層，設置在所述第一開口的底部上；

柵極絕緣膜，以覆蓋所述第二開口的至少一部分和包括 所述溝道部半導體層的所述第一開口的至少一部分的方式設 置在所述隔壁上；

柵電極，設置在所述柵極絕緣膜上，同時與所述溝道部 半導體層重疊；

層間絕緣膜，覆蓋所述柵極絕緣膜和所述柵電極；以及

半導體層，設置在所述隔壁上，

其中，在與所述隔壁上的所述半導體層保持絕緣的情況 下，通過設置在所述第二開口內的所述連接孔連接至所述源電 極或者所述漏電極的像素電極設置在所述層間絕緣膜上，并且

所述柵極絕緣膜也設置在置于所述隔壁上的所述半導體 層上。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于

所述像素電極包括反射材料。

9.一種用于制造顯示裝置的方法，其特征在于包括以下步驟：

在基板上形成源電極和漏電極；

以覆蓋所述源電極和所述漏電極的方式在所述基板上形 成絕緣膜；

通過以下方式形成由所述絕緣膜所構成的隔壁結構：在 所述源電極和所述漏電極之間形成第一開口，所述第一開口到 達所述基板，此外，在所述源電極的中央部和所述漏電極的中 央部形成第二開口，所述第二開口到達所述源電極和所述漏電 極；

以與形成在所述隔壁的頂部上的半導體層分離的方式， 在所述第一開口的底部上形成由所述半導體層構成的溝道部 半導體層；

以覆蓋所述第二開口、包括所述溝道部半導體層的所述 第一開口以及所述隔壁的頂部上的所述半導體層的方式在所 述隔壁上形成柵極絕緣膜；

以與所述溝道部半導體層相對的方式在所述柵極絕緣膜 上形成柵電極；

形成覆蓋所述柵極絕緣膜和所述柵電極的層間絕緣膜； 以及

在與所述隔壁上的所述半導體層保持絕緣的情況下，在 所述層間絕緣膜上形成通過設置在所述第二開口內的所述連 接孔連接至所述源電極或者所述漏電極的像素電極。