[實(shí)用新型]蔭罩式等離子體顯示板后基板無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820237751.5 | 申請日: | 2008-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN201340835Y | 公開(公告)日: | 2009-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王曉賓;樊兆雯;張雄;朱立鋒;林青園;王保平 | 申請(專利權(quán))人: | 南京華顯高科有限公司 |
| 主分類號: | H01J17/02 | 分類號: | H01J17/02;H01J17/49 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 夏 平 |
| 地址: | 210061江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蔭罩式 等離子體 顯示 板后基板 | ||
1、一種蔭罩式等離子體顯示板后基板,它包括后基板玻璃(1)、尋址電極(2)、介質(zhì)層(3)和氧化鎂層(5),尋址電極(2)在后基板玻璃(1)上,介質(zhì)層(3)在后基板玻璃(1)和尋址電極(2)上,氧化鎂層(5)在介質(zhì)層(3)上,其特征是它還包括粘結(jié)層(4),粘結(jié)層(4)在介質(zhì)層(3)和氧化鎂層(5)之間。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔭罩式等離子體顯示板后基板,其特征是所述的粘結(jié)層(4)的材料為低熔點(diǎn)玻璃,厚度為1~10微米。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔭罩式等離子體顯示板后基板,其特征是所述的氧化鎂層(5)的厚度為1~5微米。
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