[實用新型]一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極無效
| 申請號: | 200820229649.0 | 申請日: | 2008-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN201330288Y | 公開(公告)日: | 2009-10-21 |
| 發明(設計)人: | 羅天長;季常青;馬龍;葉志勇;劉升明;黃懷國 | 申請(專利權)人: | 廈門紫金礦冶技術有限公司 |
| 主分類號: | C25C7/02 | 分類號: | C25C7/02;C25C1/22;C25B11/04;C25B11/10 |
| 代理公司: | 廈門市首創君合專利事務所有限公司 | 代理人: | 李雁翔;楊依展 |
| 地址: | 361101福建省廈門市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 電解 純度 黃金 納米 電極 | ||
所屬技術領域
本實用新型涉及一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極。
背景技術
國內外黃金精煉主要采用電解法、化學法和萃取法等工藝。其中,金的電解精煉由于工藝流程簡單、生產指標穩定、作業環境較好等優點而被大部分的黃金精煉企業所采用,但常規的電解方法存在有如下缺點:生產周期較長、過程金積壓較多、能耗大、污染較為嚴重。
實用新型內容
本實用新型提供一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極,其應用在電解法精練中能克服了背景技術黃金精煉所存在的生產周期較長、過程金積壓較多、能耗大、污染的不足。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極,它包括一鈦板及一通過電解制備方法析在鈦板表面的金納米膜。
本實用新型一較佳實施例中,該金納米膜為厚度小于100nm的金納米膜。
本實用新型一較佳實施例中,該金納米膜為表面平均粒度小于70nm的金納米膜。
本實用新型一較佳實施例中,該金納米膜包括一底壁及一由底壁周緣向上延伸而成的周壁,該周壁高度等于鈦板高度1/2-3/4;該底壁貼在鈦板底面,該周壁吻合并套接鈦板周側面。
本技術方案與背景技術相比:納米膜電極能夠被用以非對稱電流高純度黃金精煉生產中,代替純金制作的陰極板,它具有如下優點:1、在金電解過程中用金納米薄膜電極能提高陰極金的純度;2、利用納米金電催化方面的性質,可以降低氧化還原電位,優化電流密度,縮短生產周期和減少過程金積壓,從而大大增強了電解法生產的競爭性。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
圖1是本實用新型一較佳實施例的用于電解高純度黃金的金納米膜電極的剖面示意圖。
具體實施方式
請查閱圖1,一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極100,它包括一鈦板110及一通過電解制備方法析在鈦板110表面的金納米膜120。該金納米膜120的厚度小于100nm,例如為90nm、80nm、95nm。該金納米膜120的表面平均粒度小于70nm,例如為65nm、69nm。
該金納米膜120包括一底壁及一由底壁周緣向上延伸而成的周壁,該周壁高度等于鈦板高度2/3;該底壁貼在鈦板底面,該周壁吻合并套接鈦板周側面。
將本實施例的金納米膜電極100用以電解法黃金精練工藝中,能精練出高純度(99.999%)的黃金。
以上所述,僅為本實用新型較佳實施例而已,故不能以此限定本實用新型實施的范圍,即依本實用新型申請專利范圍及說明書內容所作的等效變化與修飾,皆應仍屬本實用新型專利涵蓋的范圍內。
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