[實用新型]一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820229649.0 | 申請日: | 2008-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN201330288Y | 公開(公告)日: | 2009-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅天長;季常青;馬龍;葉志勇;劉升明;黃懷國 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門紫金礦冶技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C25C7/02 | 分類號: | C25C7/02;C25C1/22;C25B11/04;C25B11/10 |
| 代理公司: | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 李雁翔;楊依展 |
| 地址: | 361101福建省廈門市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 電解 純度 黃金 納米 電極 | ||
1.一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極,其特征在于:它包括一鈦板及一通過電解制備方法析在鈦板表面的金納米膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極,其特征在于:該金納米膜為厚度小于100nm的金納米膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極,其特征在于:該金納米膜為表面平均粒度小于70nm的金納米膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極,其特征在于:該金納米膜包括一底壁及一由底壁周緣向上延伸而成的周壁,該周壁高度等于鈦板高度1/2-3/4;該底壁貼在鈦板底面,該周壁吻合并套接鈦板周側(cè)面。
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