[實(shí)用新型]側(cè)面發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200820213658.0
• 申請(qǐng)日: 2008-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN201289864Y
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫平如
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市聚飛光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于發(fā)光二極管，尤其涉及一種側(cè)面發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

如圖1所示，目前市場常見的側(cè)面發(fā)光二極管，其腔室11具有傾斜的側(cè)壁12，于腔室11的底部設(shè)置有芯片13，芯片13射出的光線可從側(cè)壁12反射至腔室11外。其中，腔室11的深度大于芯片13的安裝高度，且不超過該安裝高度的六倍，可以為0.2mm～0.48mm。

近年來，由于側(cè)面發(fā)光二極管逐漸向薄型的產(chǎn)品進(jìn)化，腔室11底部短邊尺寸進(jìn)一步受限、較窄，導(dǎo)致芯片13的側(cè)面射出的光能量損失較大，亮度受到限制；同時(shí)，因?yàn)榍皇?1長邊直斜面之影響，側(cè)面發(fā)光二極管角落處的光線較小，亮度較低，所以發(fā)光表面的均勻性較差。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種側(cè)面發(fā)光二極管，能夠提高出光亮度，并且使出光更加均勻。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種側(cè)面發(fā)光二極管，其具有腔室，于所述腔室的底部設(shè)置有芯片，所述腔室的內(nèi)壁從底部往頂部延伸，形成可將所述芯片發(fā)射的光線反射至所述腔室外的凹形曲面。

腔室內(nèi)的芯片射出的光線，從凹形曲面反射至腔室外，與現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)壁為直傾斜面相比，該凹形曲面可以使光線的反射角度增大，從而使芯片的側(cè)面光的出光更多，提高了出光的亮度；同時(shí)，反射角度增大還使該側(cè)面發(fā)光二極管腔室的出光位置更鄰近角落，提高了出光的均勻性。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種側(cè)面發(fā)光二極管的剖視示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種側(cè)面發(fā)光二極管的長邊剖視示意圖；

圖3是圖2所述側(cè)面發(fā)光二極管的短邊剖視示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)參閱圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種側(cè)面發(fā)光二極管，包括封裝件本體10，本體10具有腔室4，該腔室4的底部設(shè)置有引線框架2，引線框架2的一部份延伸到該封裝件本體10外面形成導(dǎo)電電極。于腔室4內(nèi)安裝有LED芯片3，其通過電連接到引線框架2上。腔室4中填充有密封劑6，密封劑6可以是透明膠，也可以是由透明膠水與多種熒光粉的混合體。

上述腔室4的側(cè)壁從底部往頂部延伸形成凹形曲面5，利用該凹形曲面5，可將芯片3發(fā)射的光線反射至腔室4外。該凹形曲面5可以由數(shù)個(gè)斜面組合而成，各斜面之間的夾角大于90度。這樣，夾角大于90度的傾斜面之間逐一連接，形成的凹形曲面5，可將芯片3發(fā)出的光線反射于腔室4外，相比現(xiàn)有技術(shù)中的直傾斜面的反射角，其反射角增大。

請(qǐng)一同參閱圖2和圖3，本實(shí)施例中，凹形曲面5包括垂直面51和與垂直面51連接的傾斜面52，傾斜面52設(shè)置于底部，與腔室4底部連接。由于增加了垂直面51，使傾斜面52的終點(diǎn)可以更低，而起點(diǎn)位置不變，因此直傾斜面52與腔室4底部之間的夾角增大，從而增大了光線的反射角。

其中，腔室4的深度可以設(shè)置為0.20mm～0.35mm，而垂直面51的高度為0.02～0.15mm，使腔室4的體積加大。垂直面51與傾斜面52之間具有弧形過渡面53，過渡面53的半徑為垂直面51高度的0.1～0.3倍，使垂直面51往傾斜面52過渡平緩，保證出光的均勻性。

此外，上述凹形曲面5還可以為弧度小于90度的圓弧，或其他形狀的凹形曲面，只要能夠?qū)⒐饩€反射至腔室4外，且增大反射角均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

因此，腔室4內(nèi)的芯片3射出的光線，從凹形曲面5反射至腔室4外，與現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)壁為直傾斜面相比，該凹形曲面5可以使光線的反射角度增大，從而使芯片3的側(cè)面光的出光更多，提高了出光的亮度；同時(shí)，反射角度增大還使該側(cè)面發(fā)光二級(jí)極管腔室的出光位置更鄰近角落，提高了出光的均勻性，使得背光源的均勻性更好。此外，采用凹形曲面5后，還使腔室4的空間增大，更容易放置芯片3，及填充密封劑更易于精確控制。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的側(cè)面發(fā)光二極管主要應(yīng)用于移動(dòng)通訊終端機(jī)、可視電話、MP3、MP4、車載DVD、NB等產(chǎn)品之薄型全彩背光屏。在背光領(lǐng)域，與傳統(tǒng)CCFL光源相比，LED擁有固態(tài)、環(huán)保、節(jié)能功耗低、安全、輕薄、色彩表現(xiàn)更好、LED的色域更廣，色飽和度可以做到105％以上，而相反CCFL是比較窄的，大部分只能做到70％左右。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。