[實(shí)用新型]增益限幅電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200820166832.0 | 申請(qǐng)日： | 2008-10-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN201319585Y | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭泉智 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H03G3/20 | 分類(lèi)號(hào)： | H03G3/20;H03G1/04 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 310012浙江*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 增益 限幅 電路 | ||
1.一種增益限幅電路，其特征在于由N個(gè)具有差分輸入和差分輸出的增益級(jí)依次串聯(lián)連接，第一增益級(jí)的差分輸入作為增益限幅電路的信號(hào)輸入端，最后一級(jí)增益級(jí)的差分輸出作為增益限幅電路的信號(hào)輸出端，用于接收反饋的增益級(jí)還具有第二差分輸入，第K級(jí)增益級(jí)的差分輸出通過(guò)反饋環(huán)路反饋給接收反饋的第M級(jí)增益級(jí)的第二差分輸入信號(hào)，K為1到N之間的任意整數(shù)，M小于等于K，且各個(gè)增益級(jí)僅被包含在一個(gè)反饋環(huán)路中。
2.如權(quán)利要求1所述的增益限幅電路，其特征在于所述的反饋環(huán)路為RC低通濾波器。
3.如權(quán)利要求1所述的增益限幅電路，其特征在于所述的反饋環(huán)路為Gm-C低通濾波器。
4.如權(quán)利要求1所述的增益限幅電路，其特征在于所述的反饋環(huán)路為有源RC積分器。
5.如權(quán)利要求1所述的增益限幅電路，其特征在于所述的反饋環(huán)路為有源開(kāi)關(guān)電容積分器。
6.如權(quán)利要求1所述的增益限幅電路，其特征在于所述的增益級(jí)包括NMOS晶體管M1、NMOS晶體管M2，電阻R1、電阻R2，電源VDD以及第一電流源，其中NMOS晶體管M1、NMOS晶體管M2以及電阻R1、電阻R2組成差分輸入輸出對(duì)，電阻R1和電阻R2共同連接到電源VDD，NMOS晶體管M1和NMOS晶體管M2的源極連接第一電流源并接地。
7.如權(quán)利要求5所述的增益限幅電路，其特征在于接受反饋的增益級(jí)還包括NMOS晶體管M3、NMOS晶體管M4、NMOS晶體管M3的柵極和NMOS晶體管M4的柵極作為第二差分輸入對(duì)，NMOS晶體管M3和NMOS晶體管M4的漏極連接到差分輸出對(duì)，NMOS晶體管M3和NMOS晶體管M4的源極連接第二電流源并接地。
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