[實用新型]一種時鐘產(chǎn)生電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820157771.1
• 申請日: 2008-12-25
• 公開（公告）號: CN201340440Y
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發(fā)明（設計）人: 周志浩;韓明;袁文師
• 申請（專利權）人: 上海貝嶺股份有限公司
• 主分類號: G01R15/00
• 分類號: G01R15/00;G01R22/00;H03L1/00
• 代理公司: 上海兆豐知識產(chǎn)權代理事務所
• 代理人: 章蔚強

技術領域

本實用新型涉及電能計量領域，尤其涉及一種時鐘產(chǎn)生電路。

技術背景

MOS管計算中與溫度有關的項：遷移率μ₀(T)，閾值電壓V_t(T)。其分別是溫度的函數(shù)。設計時通過查工藝文件，得到NMOS管和PMOS管的溝道濃度。

當雜質濃度低于10¹⁹cm^-3時，晶格散射其主要作用，遷移率公式可以簡化為：μO(T)=μO(T0)(T0T)1.5]]>

閾值電壓表達式：

假設φ_ms，Q_ss和C_ox與溫度無關，V_bs＝0，對V_t求導可以得出

表明當φ_f＜E_g/2q，閾值電壓隨溫度升高而下降，通常為-0.5-4mV/℃。

飽和區(qū)MOS管電流公式：I_ds＝0.5μ_nC_ox(W/L)(V_gs-V_th)²

設計中，根據(jù)雜質濃度摻入劑量可以查到遷移率隨著溫度的衰減表。

dIdsdT=12CoxWL(Vgs-Vt(T))2dμ(T)dT+μ(T)CoxWL(Vgs-Vt(T))dVt(T)dT]]>

由此可以綜合考慮以上兩個因素的影響，對于溝道摻雜n_ch＝10¹⁷cm^-3，第一項起主要作用，當溫度升高時電流減小。

考慮電阻溫度系數(shù)