[實(shí)用新型]帶有功率控制模式的功率放大器偏置電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200820137568.8 | 申請(qǐng)日： | 2008-09-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201266907Y | 公開（公告）日： | 2009-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳立強(qiáng);畢曉君;張海英 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 德可半導(dǎo)體(昆山)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03F1/02 | 分類號(hào)： | H03F1/02;H03F3/20 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 孫仿衛(wèi) |
| 地址： | 215347江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶有 功率 控制 模式 功率放大器 偏置 電路 | ||
1、一種帶有功率控制模式的功率放大器偏置電路，它具有
控制電壓輸入端(VCON)，其用于接收來(lái)自基帶的控制電壓；
線性偏置電路(1)，所述的線性偏置電路(1)包括第一晶體管(HBT1)和第二晶體管(HBT2)，所述的第一晶體管(HBT1)的基極與第二晶體管(HBT2)的發(fā)射極相連接；
功率模式控制單元(2)，所述的功率模式控制單元(2)用于從所述的線性偏置電路(1)中抽取電流以控制第一晶體管(HBT1)的偏置狀態(tài)；
其特征在于：所述的功率模式控制單元(2)包括集電極與所述的第二晶體管(HBT2)的基極相連接的第三晶體管(HBT3)、集電極與所述的第三晶體管(HBT3)發(fā)射極相連接的第五晶體管(HBT5)、基極與所述的第五晶體管(HBT5)基極相連接的第四晶體管(HBT4)，所述的第三晶體管(HBT3)基極與第四晶體管(HBT4)集電極相連接并通過一上拉電阻(R2)與所述的控制電壓輸入端(VCON)相連接，且第四晶體管(HBT4)與第五晶體管(HBT5)的發(fā)射極分別接地。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有功率控制模式的功率放大器偏置電路，其特征在于：所述的各晶體管為異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。
3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶有功率控制模式的功率放大器偏置電路，其特征在于：所述的第三晶體管(HBT3)、第四晶體管(HBT4)、第五晶體管(HBT5)具有相同的器件特性。
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管，只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn)，例如滑動(dòng)甲類放大級(jí)，采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)
