[實(shí)用新型]對高溫和/或高壓樣品進(jìn)行磁共振測量的裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820128824.7
• 申請日: 2008-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN201347760Y
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅伯特·弗里德曼;克里什納默西·加尼森;道格拉斯·W·格蘭特
• 申請（專利權(quán)）人: 普拉德研究及開發(fā)股份有限公司
• 主分類號(hào): E21B49/08
• 分類號(hào): E21B49/08;G01V3/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 封新琴

1.一種對高溫和/或高壓樣品進(jìn)行磁共振測量的裝置，其特征在于包括：

第一流動(dòng)管，其具有縱軸和內(nèi)部區(qū)域并且包含高溫和/或高壓樣品；

一對平行的磁板，其布置在第一流動(dòng)管的相對側(cè)并且垂直于第一流動(dòng)管縱軸磁化；及

天線，其布置在第一流動(dòng)管的內(nèi)部區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述磁共振測量為核磁共振測量或電子自旋共振測量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第一流動(dòng)管由金屬制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述磁板包括一片或多片永磁材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，還包括磁體組件，其中該磁體組件帶有所述一對磁板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述磁體組件包括高導(dǎo)磁性的外殼。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述磁體組件包括導(dǎo)線從中經(jīng)過的穿透性導(dǎo)線通道。

8.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述磁體組件包括所述第一流動(dòng)管從中經(jīng)過的第一流動(dòng)管通道。

9.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述磁體組件包括第二流動(dòng)管從中經(jīng)過的第二流動(dòng)管通道。

10.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述磁體組件包括一個(gè)或多個(gè)在磁板和第一流動(dòng)管之間放置的磁極片。

11.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述磁體組件包括其上安裝磁板的磁體載體，高導(dǎo)磁性外殼，及磁體磁極片。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的裝置，其中所述磁體載體具有第一流動(dòng)管從中經(jīng)過的第一孔，第二流動(dòng)管從中經(jīng)過的第二孔，及導(dǎo)線從中經(jīng)過的第三孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述天線為布置在屏蔽層和保護(hù)層之間的線圈。

14.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，還包括脈沖場梯度線圈，其布置在第一流動(dòng)管的外部，但接近第一流動(dòng)管。