[實用新型]一種晶圓表面氧化膜去除裝置

有效

• 申請號: 200820124346.2
• 申請日: 2008-12-09
• 公開（公告）號: CN201311920Y
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 徐繼平
• 申請（專利權）人: 北京有色金屬研究總院;有研半導體材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭佩蘭

1、一種晶圓表面氧化膜去除裝置，其特征在于：它包括：一個工作風廚，一個位于工作風廚內的氫氟酸氣體發生器(6)，氫氟酸氣體發生器接氫氟酸氣體均壓器(7)，氣體均壓器出口接一個硅片反應室(8)，反應室為中空的腔室結構，一側連接排風管道，反應室內有裝片用片槽(9)，片槽下方有保護氣腔，用于裝卸硅片真空吸盤，還包括保護氣體發生器(5)，以及氫氟酸氣體輸運管道及閥門(2)、保護氣體輸送管道及閥門(1)、輸送干燥氣的管道和閥門(3)。

2、根據權利要求1所述一種晶圓表面氧化膜去除裝置，其特征在于：氫氟酸氣體發生器為一鼓泡裝置，該裝置包括裝HF酸液體用的密封桶，插入液體中的進氣管，桶內還有出氣管。

3、根據權利要求1所述一種晶圓表面氧化膜去除裝置，其特征在于：硅片反應室為聚四氟乙烯材質，所述的反應室內片槽數量為5～8個，片槽尺寸分別與4、5、6寸硅片相匹配。

4、根據權利要求1所述一種晶圓表面氧化膜去除裝置，其特征在于：硅片反應室片槽的側面為斜面，斜面上呈圓周分布圓形氣孔(10)。

5、根據權利要求4所述一種晶圓表面氧化膜去除裝置，其特征在于：所述的氣孔位于距斜面底端2～3mm處。

6、根據權利要求4或5所述一種晶圓表面氧化膜去除裝置，其特征在于：所述的氣孔直徑為2～3mm，氣孔間距10～15mm。

7、根據權利要求1所述一種晶圓表面氧化膜去除裝置，其特征在于：所述的反應室腔室內貫穿一條保護氣輸送管，該輸送管管身均勻分布開孔，開孔直徑為4～6mm。