[實用新型]一種高分子固體片式鉭電解電容器

有效

• 申請號: 200820123739.1
• 申請日: 2008-11-18
• 公開（公告）號: CN201345299Y
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: 祁懷榮
• 申請（專利權）人: 北京七一八友益電子有限責任公司
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15;H01G9/042;H01G9/048;H01G9/08;H01G9/008
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭立明

技術領域

本實用新型涉及電子元器件領域，尤其涉及一種高分子固體片式鉭電解 電容器。

背景技術

電容器的阻抗較高，特別是高頻阻抗較高，會使電容器的感抗也較高， 電容器的電感和阻抗會隨頻率的增加成為容抗，導致電容器的容量下降，導 致這種電容器無法在較高的頻率保持一定的容量。這種電容器無法應用在高 頻電路中，若使用在頻率較高的電路中時會出現電容器容量隨頻率的增高而 下降的現象。

應用在多種電路中性能優異的鉭電解電容器就存在上述的缺點，鉭電解 電容器的容量和測試或使用頻率存在如圖1所示的關系：即當測試或使用頻 率增加到一定值時，鉭電解電容器的容量會隨頻率的增加而降低，當頻率增 加到與鉭電解電容器的諧振頻率一樣時，鉭電解電容器的容量將喪失，而成 為一個電感。

造成鉭電解電容器這種現象的原因是：普通的片式鉭電解電容器陰極采 用電子電導型的半導體材料二氧化錳，使片式鉭電解電容器的陰極阻抗較 大，進而使鉭電解電容器電感和阻抗會隨頻率的增加成為容抗，導致鉭電解 電容器的容量下降，而現有技術無法再通過工藝技術處理使鉭電解電容器的 高頻阻抗更低，使性能優異的片式鉭電解電容器因高頻阻抗[ESR]較高，使用 頻率受到嚴格限制，幾乎無法使用在工作頻率達到MHZ級以上的電路中。但由 于微電子技術的發展非常快，現有微電子電路中普通的處理器的主工作頻率 均有可能達到MHZ以上，在進行邏輯運算較復雜的數字電路，工作頻率更高， 因此使用二氧化錳作陰極的片式鉭電解電容器基本不能用在此類電路中作為 濾波元件使用。鉭電解電容器的這個缺點，極大的限制了片式鉭電解電容器 的應用范圍。

實用新型內容

基于上述現有技術所存在的問題，本實用新型實施方式提供一種高分子 固體片式鉭電解電容器，以高頻阻抗低材料作為鉭電解電容器陰極材料，使 鉭電解電容器避免了因頻率高而導致容量變小，可應用在多種頻率較高的電 路中。

本實用新型的目的是通過以下技術方案實現的：

本實用新型實施方式提供一種高分子固體片式鉭電解電容器，包括：

在封裝外殼內設有鉭電容顆粒，所述鉭電容顆粒由帶鉭絲引出線的鉭塊 陽極、介質層和高分子陰極層構成，鉭塊陽極外包覆介質層，介質層外包覆 高分子陰極層，高分子陰極層的高頻電導率為20S/cm，將所述鉭塊陽極的鉭 絲引出線與封裝外殼的陽極引出線電連接，高分子陰極層與封裝殼體的陰極 引出線電連接。

所述高分子陰極層為3，4乙烯二氧噻吩PEDT材料形成的包覆結構層。

所述3，4乙烯二氧噻吩PEDT材料形成的包覆結構層的厚度為0.2～0.3 毫米。

由上述本實用新型實施方式提供的技術方案可以看出，本實用新型實施 方式中以3，4乙烯二氧噻吩PEDT層作為鉭電解電容器的陰極，使鉭電解電容 器的陰極阻抗尤其是高頻阻抗，可以相比二氧化錳陰極的鉭電解電容器降低 一個數量級，使該鉭電解電容器的工作頻率也可以提高一到二個數量級，具 有出色的高頻性能，可以應用在MHz以上的電路中，并且也有效提高了鉭電解 電容器的安全性，當該具有高分子陰極的鉭電解電容器使用中出現意外的擊 穿時，不會像二氧化錳作陰極的產品那樣起火燃燒或爆炸。

附圖說明

圖1為現有二氧化錳為陰極的鉭電解電容器的頻率容量變化示意圖；

圖2為本實用新型實施例中的陰極3，4乙烯二氧噻吩材料的分子式結構 圖；

圖3為本實用新型實施例的鉭電解電容器內部封裝結構示意圖；

圖4為本實用新型實施例的鉭電解電容器內的鉭電容顆粒剖面結構示意 圖；

圖5為本實用新型實施例的鉭電解電容器制造流程示意圖；

圖中：1.封裝殼體；2.陰極引出線；3.鉭電容顆粒；4.陽極引出 線；5.鉭絲引出線；6.焊接點；21.鉭塊陽極；22.介質層；23.高分子陰極 層。

具體實施方式