[實(shí)用新型]沉積材料形成鍍層的設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200820112365.3 | 申請(qǐng)日: | 2008-08-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201614406U | 公開(公告)日: | 2010-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丹尼斯·梯爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 梯爾涂層有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 林芳芳;王潔 |
| 地址: | 英國(guó)德羅特威茨*** | 國(guó)省代碼: | 英國(guó);GB |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 材料 形成 鍍層 設(shè)備 | ||
1.一個(gè)沉積材料形成鍍層的設(shè)備包括:電場(chǎng)裝置,用于產(chǎn)生一個(gè)指向一個(gè)待鍍層的基底(‘7:7‘)的電場(chǎng)(E)和磁場(chǎng)裝置(1,2;10,11,12;20),所述磁場(chǎng)裝置包括至少兩個(gè)磁控管(1,2;10,12)和/或磁體組件,每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和相反極性的外部部分,其特征在于所述磁控管和/或磁體陣列設(shè)置為:一個(gè)磁控管和/或磁體組件(1;10)的外部部分和其他,或另一個(gè)磁控管和/或磁體組件(2;12)的外部部分,放置在相鄰位置;并且,至少一個(gè)所述磁控管或磁體組件的外部部分具有相對(duì)于其他或另一個(gè)磁控管和/或磁體組件的外部部分的極性的相反極性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于磁控管和/或磁體組件被設(shè)置為,鄰近的磁控管和磁體組件具有相反極性的外部環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于外部極放置的角度相對(duì)于待鍍層的基底(7;7’)的位置放置,使它們?cè)诨咨铣梢粋€(gè)大角度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其特征在于所述設(shè)備包括多個(gè)磁控體和磁體組件,它們鄰近的外部部分具有相反極性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的設(shè)備,其特征在于所述磁控管和/或磁體組件(1,2;10,12)放置在所述基底的周圍,并且基底一般在這些磁控管的中心位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其特征在于所述磁控管和/或磁體組件是在所述基底周圍一個(gè)多邊形或者環(huán)上的等角的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于有偶數(shù)個(gè)磁控管和/或磁體組件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于至少有3個(gè)或者4個(gè)磁控管和/或磁體組件。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





