[實用新型]整流逆變模塊無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820079412.9 | 申請日: | 2008-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN201188586Y | 公開(公告)日: | 2009-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鐘玉;吳曉明;張雪峰;吳學(xué)智;何洪;徐大國;于永慶 | 申請(專利權(quán))人: | 北京康得環(huán)保科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/537 | 分類號: | H02M7/537;H02M1/14;H02M5/40 |
| 代理公司: | 北京高默克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 金鳳 |
| 地址: | 100085北京市海淀區(qū)上地信息*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 整流 模塊 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種基本電子電路,更為具體地講,本實用新型涉及一種電子模塊,尤其是指一種整流逆變模塊,在國際專利分類表中本實用新型應(yīng)分為H03大類。
背景技術(shù)
目前,有關(guān)整流逆變模塊的產(chǎn)品不少,也得到相當(dāng)?shù)耐茝V和應(yīng)用,但是現(xiàn)有技術(shù)仍有不足之處,其主要缺陷是:由于現(xiàn)有技術(shù)是經(jīng)過二次運放再次分配驅(qū)動信號,其誤差明顯變大;其次,由于采用單元內(nèi)部驅(qū)動電源為負(fù)載公用的動力輸入電源,所以控制電源受到電網(wǎng)供電和負(fù)載變化的影響;另外,由于上述原因不能采用機(jī)箱外殼接地技術(shù),使得相鄰單元間存在電磁相互干擾,降低了單元工作的可靠性。結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,所使用的元件較多,在轉(zhuǎn)換過程中所受到的干擾增加,相應(yīng)的可靠性降低,所帶來的誤差也勢必增加;另外,因為結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不僅成本高,體積大,更為突出的缺點是耗能大,抗干擾性差,由于在單元內(nèi)部的復(fù)雜控制部分受到了單元內(nèi)功率電子器件高電磁干擾和高溫度的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于:針對已有技術(shù)的不足,提供結(jié)構(gòu)相當(dāng)簡單的、可以避免在轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生誤差和干擾的、工作效率高的一種整流逆變模塊。
本實用新型的目的是通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)的:
所述的整流逆變模塊包括整流器部分、逆變器部分和驅(qū)動器部分。
所述的整流器部分與所述的逆變器部分相連接;所述的驅(qū)動器部分接向所述的逆變器部分。
在所述整流器部分的輸出端附有濾波器,所述的濾波器為由第一電容C1至第n電容Cn的串、并聯(lián)電容組成的電容器組。
所述的整流器部分為三相全波整流電路,其包括第一整流二極管D1、第二整流二極管D2、第三整流二極管D3、第四整流二極管D4、第五整流二極管D5和第六整流二極管D6。
所述的逆變器部分包括第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT1、第二絕緣柵雙極型晶體管IGBT2、第三絕緣柵雙極型晶體管IGBT3和第四絕緣柵雙極型晶體管IGBT4。
所述的驅(qū)動器部分包括第一驅(qū)動、第二驅(qū)動、第三驅(qū)動和第四驅(qū)動。
所述的第一整流二極管D1的陰極、第二整流二極管D2的陰極和第三整流二極管D3的陰極連接在一起并分別和所述的第一電容C1的正極、第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT1的漏極、第二絕緣柵雙極型晶體管IGBT2的漏極相連接。
所述的第四整流二極管D4陽極、第五整流二極管D5陽極和第六整流二極管D6的陽極連接在一起并分別和所述的第n電容Cn的負(fù)極、第三絕緣柵雙極型晶體管IGBT3的源極、第四絕緣柵雙極型晶體管IGBT4的源極相連接。
所述的第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT1的源極和第三絕緣柵雙極型晶體管IGBT3的漏極相連接形成第一輸出端1,所述的第二絕緣柵雙極型晶體管IGBT2的源極和第四絕緣柵雙極型晶體管IGBT4的漏極相連接形成第二輸出端2。
所述的第一驅(qū)動連接所述的第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT1的柵極,
所述的第二驅(qū)動連接所述的第三絕緣柵雙極型晶體管IGBT3的柵極,
所述的第三驅(qū)動連接所述的第二絕緣柵雙極型晶體管IGBT2的柵極,
所述的第四驅(qū)動連接所述的第四絕緣柵雙極型晶體管IGBT4的柵極。
所述的第一驅(qū)動、第二驅(qū)動、第三驅(qū)動和第四驅(qū)動的型號均為DDIGD515EI。
所述的第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT1、第二絕緣柵雙極型晶體管IGBT2、第三絕緣柵雙極型晶體管IGBT3和第四絕緣柵雙極型晶體管IGBT4均為3300V等級功率逆變元件。
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H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
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H02M7-86 ..用動態(tài)變換器的





