[實用新型]用于單晶生長裝置的結晶區(qū)溫度梯度調節(jié)器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820062849.1
• 申請日: 2008-04-10
• 公開（公告）號: CN201212066Y
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發(fā)明（設計）人: 趙北君;朱世富;何知宇;陳寶軍;唐世紅;王立苗
• 申請（專利權）人: 四川大學
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00
• 代理公司: 成都科海專利事務有限責任公司
• 代理人: 黃幼陵

1、一種用于單晶生長裝置的結晶區(qū)溫度梯度調節(jié)器，其特征在于由保溫隔熱材料制作的座板(1)和保溫隔熱材料制作的動板(5)組成，

座板(1)上設置有一底部為平面的凹槽(2)，凹槽的中心部位開設有大于坩堝套外徑的通孔I(3)，凹槽的環(huán)面上開設有調溫孔I(4)，

動板(5)的形狀和徑向尺寸與座板上設置的凹槽(2)相匹配，動板(5)中心部位開設有與通孔I尺寸相同的通孔II(6)，動板(5)環(huán)面上開設有調溫孔II(7)，調溫孔II與所述凹槽環(huán)面上開設的調溫孔I(4)形狀、尺寸、數(shù)量、間距相同，

動板(5)放置在座板(1)所設置的凹槽(2)中，其與凹槽為動配合。

2、根據(jù)權利要求1所述的用于單晶生長裝置的結晶區(qū)溫度梯度調節(jié)器，其特征在于座板的高度h₁＝20～40mm，動板(5)放置在座板(1)所設置的凹槽(2)中后，座板(1)底面至動板(5)頂面的高度h₂＝25～60mm。

3、根據(jù)權利要求1或2所述的用于單晶生長裝置的結晶區(qū)溫度梯度調節(jié)器，其特征在于座板凹槽環(huán)面上開設的調溫孔I(4)和動板環(huán)面上開設的調溫孔II(7)至少為4個，且在環(huán)面上均勻分布。

4、根據(jù)權利要求1或2所述的用于單晶生長裝置的結晶區(qū)溫度梯度調節(jié)器，其特征在于座板(1)為矩形板，座板上設置的凹槽(2)為圓形凹槽，動板(5)為圓形板。

5、根據(jù)權利要求3所述的用于單晶生長裝置的結晶區(qū)溫度梯度調節(jié)器，其特征在于座板(1)為矩形板，座板上設置的凹槽(2)為圓形凹槽，動板(5)為圓形板。