[實(shí)用新型]N溝道功率MOS管驅(qū)動芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820058987.2 | 申請日： | 2008-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN201263144Y | 公開（公告）日： | 2009-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戴忠偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海廣晶電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 胡美強(qiáng) |
| 地址： | 200030上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝道 功率 mos 驅(qū)動 芯片 電流 模式 電平 轉(zhuǎn)換 電路 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種N溝道功率MOS管驅(qū)動芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于包括：第零NMOS管和第零PMOS管的柵極連在一起連到輸入端，第零PMOS管的源極接到VDD1，第零PMOS管的漏極接第一電阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極和柵極、第二NMOS管的柵極以及第一電阻的另一端連在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地GND1，第二NMOS管的漏極、第一PMOS管的柵極和漏極以及第二PMOS管的柵極連在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源極連到VDD2，第二NMOS管的漏極與第二電阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的柵極連在一起，第二電阻的另一端和第三NMOS管的源極連接到GND2上，第三PMOS管的源極連到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極連到輸出端OUT。
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