[實用新型]特高二次擊穿的大功率晶體管無效
| 申請號： | 200820040209.0 | 申請日： | 2008-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN201222494Y | 公開（公告）日： | 2009-04-15 |
| 發明（設計）人： | 龔利汀;錢曉平;龔利貞 | 申請（專利權）人： | 無錫固電半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二次 擊穿 大功率 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1、特高二次擊穿的大功率晶體管，包括引線框(3)與管芯(1)，其特征是：在引線框(3)上利用Sn96Ag4低溫焊料(2)焊接管芯(1)，在引線框(3)的下面引出位于左側的基極(6)、位于中間的集電極(5)與位于右側的發射極(4)。
2、如權利要求1所述特高二次擊穿的大功率晶體管，其特征是：在引線框(3)上、管芯(1)的上方設置安裝孔(10)及凹槽(9)。
3、如權利要求1所述特高二次擊穿的大功率晶體管，其特征是：在引線框(3)上、管芯(1)的下方設置鍵合區(7)。
4、如權利要求1所述特高二次擊穿的大功率晶體管，其特征是：在引線框(3)上對應于管芯(1)的兩側設置折邊(8)。
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