[發明專利]集能裝置及具有該集能裝置的照明設備無效
| 申請號: | 200810302308.6 | 申請日: | 2008-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN101615639A | 公開(公告)日: | 2009-12-30 |
| 發明(設計)人: | 胡繼忠;曾耀民;賴志銘 | 申請(專利權)人: | 富士邁半導體精密工業(上海)有限公司;沛鑫半導體工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/052 | 分類號: | H01L31/052;H01L31/0232;H02J7/35;F21S9/03;F21Y101/02 |
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| 搜索關鍵詞: | 裝置 具有 照明設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種集能裝置,以及一種具有該集能裝置的照明設備。
背景技術
光伏模組已成為能源領域的研究熱點,其可應用于房屋等建筑、路燈照明等裝置、甚至各種便攜式電子裝置,用于將太陽光能轉化為電能,并形成電壓(參見“Grown?junctionGaAs?solar?cell”,C.C.Shen;Pearson,G.L.;Proceedings?of?the?IEEE,Volume?64,Issue?3,March?1976?Page(s):384-385)。
現有的具有光伏模組的集能裝置一般為一個平板狀,其儲存能量的多少取決于該集能裝置的迎光部的面積,要增加太陽能的吸收,則需增加集能裝置的迎光部的面積。集能裝置一般固定在支撐架上,當太陽光與集能裝置的迎光部成90度時,集能裝置的迎光部吸收太陽光效率最大,但是,隨著太陽的運行軌跡的變化,太陽光與集能裝置的迎光部所成的角度小于90度,導致集能裝置的迎光部吸收太陽光效率降低,從而嚴重影響該集能裝置的光電轉換效率。
發明內容
有鑒于此,有必要提供一種具有較高光電轉換效率的集能裝置。
一種集能裝置,其包括至少一個光伏模組,一個承載體以及一個反光元件,該至少一個光伏模組用于將太陽光轉換為電能,該承載體用以承載該至少一個光伏模組,該反光元件設置在該至少一個光伏模組的下方,該光學元件的與該光伏模組相對的表面上設置有多個凹凸狀的微結構,該反光元件用于將入射至其上的太陽光反射到該至少一個光伏模組。
一種照明設備,其包括:一個發光模組;一個集能裝置,該集能裝置包括至少一個光伏模組,一個承載體以及一個反光元件,該至少一個光伏模組用于將太陽光轉換為電能,該承載體用以承載該至少一個光伏模組,該反光元件設置在該至少一個光伏模組的下方,該光學元件的與該光伏模組相對的表面上設置有多個凹凸狀的微結構,該反光元件用于將入射至其上的太陽光反射到該至少一個光伏模組,該光伏模組與該發光模組電連接,該光伏模組將產生的電能傳輸給該發光模組;一個支撐體,該支撐體用以支撐該發光模組與該集能裝置。
與現有技術相比,所述集能裝置及照明設備中的反光元件能將入射至其上的太陽光反射到該至少一個光伏模組,該光伏模組能有效地將這一部分太陽光轉化成電能,并將電能傳輸至該發光模組中,從而有效的提高了該集能裝置及照明設備的光電轉換效率。同時,該集能裝置的集能效率隨太陽的運行軌跡的變化而變化很小,集能效率穩定。
附圖說明
圖1是本發明第一實施例提供的集能裝置的結構示意圖。
圖2A-2C是本發明第一實施例提供的集能裝置光路示意圖。
圖3是圖1中光伏模組為多面體且微結構為鋸齒狀的剖面示意圖。
圖4是本發明第二實施例提供的集能裝置的剖面示意圖。
圖5是本發明第三實施例提供的集能裝置的剖面示意圖。
圖6是圖5中的反光元件上的微結構為圓弧狀凹槽的剖面示意圖。
圖7是本發明第四實施例提供的照明設備的剖面示意圖。
具體實施方式
下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步的詳細說明。
參見圖1,本發明第一實施例提供的集能裝置10,其包括:一個光伏模組11、一個承載體12以及一個反光元件13。
該圓柱狀光伏模組11具有一個迎光部111以及一個與該迎光部111相對的背光部112。該光伏模組11吸收太陽光并將其轉換為電能。
該光伏模組11具有可撓性,其材料可為矽,III-V族半導體材料(AlAs;InAs;InP,GaP,GaAs,GaN),II-VI族的半導體材料(CIGS/CIS,CdTe),有機材料或染料。
該承載體12用以承載該光伏模組11。
該反光元件13固定于該承載體12上,且位于該光伏模組11的下方。該反光元件13為一曲面結構,其包括一個凹曲面131,該凹曲面131與該光伏模組11的背光部112相對。該反光元件13的凹曲面131上具有多個微結構1312,該微結構1312呈圓弧狀凸起,該微結構1312的設置能增加該反光元件13的反射性能,有效的將照射至該多個微結構1312上的太陽光反射至該光伏模組11,從而提高該集能裝置10的光電轉換效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





