[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810301372.2
• 申請日: 2008-04-28
• 公開（公告）號: CN101572254A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 傅敬堯
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)和方法，特別涉及一種可防止半導(dǎo)體晶片與封裝材料分離的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)和方法。

背景技術(shù)

近年來，隨著電子器件的小型化發(fā)展，半導(dǎo)體晶片的小型化、薄型化也成為目前半導(dǎo)體晶片封裝制作的技術(shù)熱點。實現(xiàn)小型化和薄型化半導(dǎo)體晶片封裝方法之一，就是取消朝著封裝體的側(cè)面突出的外部引線，在封裝體底面一側(cè)設(shè)置有和基板保持電氣連接的外部電極，即所謂的QFN(Quad?Flat?Non-Leaded?package)封裝方法。

如圖1所示，其為現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)2。所述半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)2包括半導(dǎo)體晶片4和圍繞在半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)2周邊的引線接頭6。引線接頭6暴露于半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)2的底部側(cè)表面上。半導(dǎo)體晶片4頂側(cè)上的電連接墊5通過導(dǎo)線8與引線接頭6電連接。半導(dǎo)體晶片4的頂部和側(cè)部，引線接頭6的頂部和側(cè)部，以及導(dǎo)線8被封裝材料7所包覆。半導(dǎo)體晶片4的底部和引線接頭6的底部和外側(cè)暴露在半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)2外表面。半導(dǎo)體晶片4的底部暴露在半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)2的外表面更有利于半導(dǎo)體晶片4的散熱但同時也可能會造成半導(dǎo)體晶片4與封裝材料7之間的粘合力小而容易分離，從而損害半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)2底部的平面性和半導(dǎo)體晶片4與引線接頭6之間的電連接。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種可防止半導(dǎo)體晶片與封裝材料分離的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)和方法。

一種半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體晶片，其包括頂面、底面和側(cè)面，所述頂面上設(shè)有電連接墊；與所述電連接墊對應(yīng)設(shè)置的引線接頭；導(dǎo)線，用于電連接所述半導(dǎo)體晶片上的電連接墊及對應(yīng)引線接頭；封裝材料，用于包覆所述半導(dǎo)體晶片，導(dǎo)線，和部分引線接頭；所述半導(dǎo)體晶片的側(cè)面向外延伸出一固定部，所述固定部具有能夠受到封裝材料向上支撐力的受力面。

一種半導(dǎo)體晶片封裝方法，該方法包括如下步驟：

提供待封裝的半導(dǎo)體晶片，其中，所述半導(dǎo)體晶片具有頂面和底面，所述半導(dǎo)體晶片的頂面上具有多個電連接墊；

從所述半導(dǎo)體晶片的底面向頂面切割，使半導(dǎo)體晶片形成一個由其側(cè)面向外延伸出的固定部，所述固定部具有能夠受到封裝材料向上支撐力的受力面；

提供多個金屬導(dǎo)線框架，每個金屬導(dǎo)線框架具有在半導(dǎo)體晶片接受區(qū)周圍形成的多個引線接頭；

在所述金屬導(dǎo)線框架的一側(cè)敷設(shè)膠帶；

將已切割好的半導(dǎo)體晶片的底面附著于相應(yīng)半導(dǎo)體晶片接受區(qū)的膠帶上；

將半導(dǎo)體晶體的電連接墊與相應(yīng)的引線接頭電連接；

注入封裝材料，使其覆蓋所述半導(dǎo)體晶片的頂面，電連接墊與引線接頭的電連接部分，引線接頭的頂面和面向半導(dǎo)體晶片的一側(cè)面；

把敷設(shè)在金屬導(dǎo)線框架上的膠帶去掉，將封裝好的金屬導(dǎo)線框架切割成獨立的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)和方法通過由半導(dǎo)體晶片的側(cè)面在靠近頂面的部分向外延伸出的固定部加強了半導(dǎo)體晶片與封裝材料之間的粘著性，防止半導(dǎo)體晶片與封裝材料之間因為膨脹系數(shù)不同而脫離。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明第一實施方式所提供的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明第一實施方式所提供的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片仰視圖。

圖4為本發(fā)明第二實施方式所提供的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片的剖面圖。

圖5為本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體晶片封裝方法的流程圖。

圖6為本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片的切割示意圖。

圖7為本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)線框架示意圖。

具體實施方式

請參閱圖2，其為本發(fā)明第一實施方式所提供的半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)12示意圖。所述半導(dǎo)體晶片封裝結(jié)構(gòu)12包括半導(dǎo)體晶片120、導(dǎo)線123、引線接頭126和封裝材料128。所述半導(dǎo)體晶片120為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的類型，如在硅晶片上形成并切割下來的晶片。典型的半導(dǎo)體晶片120的尺寸范圍為2mm×2mm至12mm×12mm，厚度范圍為3mil至21mil。