[發明專利]一種具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管

無效

• 申請號: 200810244034.X
• 申請日: 2008-12-12
• 公開（公告）號: CN101442069A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 郭宇鋒
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/739
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管，其特征是：它包括半導體襯底層(100)、在襯底上方的埋氧層(102)，埋氧層(102)上方的半導體SOI層(120)，和半導體SOI層(120)上方的場氧化層(112)，所述的SOI層(120)包含一個具有第一類導電類型的半導體區域(106)和一個具有高摻雜濃度的第二類導電類型的半導體區域(108)，二者之間通過一個具有低摻雜濃度的第二類導電類型的半導體區域(110)隔開，具有低摻雜濃度的第二類導電類型的半導體區域(110)構成了功率器件的漂移區，其厚度沿著從第一類導電類型的半導體區域(106)到具有高摻雜濃度第二類導電類型的半導體區域(108)的方向由薄到厚逐漸增加，從而形成傾斜表面。

2.根據權利要求1所述的具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管，其特征是：作為漂移區的具有低摻雜濃度的第二類導電類型的半導體區域(110)，其厚度的增加方式是線性的、平方根的，或其它遞增函數形式，其最厚和最薄處的漂移區高度比大于2。

3.根據權利要求1或2所述的具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管，其特征是：作為漂移區的具有低摻雜濃度的第二類導電類型的半導體區域(110)，其濃度分布是均勻分布、橫向非均勻分布、縱向非均勻分布或縱向和橫向均為非均勻分布。

4.根據權利要求1所述的具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管，其特征是：場氧化層(112)是均勻厚度的，或是沿第一類導電類型的半導體區域(106)到高摻雜濃度的第二類導電類型的半導體區域(108)的方向逐漸變薄的。

5.根據權利要求1、或2、或3所述的具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管，其特征是：半導體SOI層(120)是硅、碳化硅、砷化鎵或鍺硅。

6.根據權利要求1所述的具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管，其特征是：埋氧層(102)是二氧化硅、蘭寶石或氮化硅材料。

7.根據權利要求1所述的具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管，其特征是：所述的功率晶體管的具體形式是橫向擴散場效應晶體管LDMOS、橫向PN二極管、橫向絕緣柵雙極型晶體管LIGBT、或橫向晶閘管。