[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810241197.2
• 申請(qǐng)日: 2008-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101770121A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃㄟ^(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成柵電 極和柵線的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣薄膜、半導(dǎo)體薄膜和阻擋薄 膜，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和阻擋層的圖形，該阻擋層用于阻止 半導(dǎo)體層被刻蝕；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積歐姆接觸薄膜、透明導(dǎo)電薄膜、源 漏金屬薄膜和鈍化薄膜，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極、TFT溝 道、數(shù)據(jù)線、像素電極和鈍化層的圖形；

所述步驟2具體包括：

步驟21、在完成步驟1的基板上連續(xù)沉積柵絕緣薄膜、半導(dǎo)體薄膜和阻擋薄膜；

步驟22、在完成步驟21的基板上涂敷一層光刻膠；

步驟23、采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板形成完全保留光刻膠區(qū)域、部分保 留光刻膠區(qū)域和無(wú)光刻膠區(qū)域；所述完全保留光刻膠區(qū)域?qū)?yīng)于形成阻擋層 的圖形的區(qū)域，所述無(wú)光刻膠區(qū)域?qū)?yīng)于基板上形成所述半導(dǎo)體層的圖形的 區(qū)域之外的區(qū)域；所述部分保留光刻膠區(qū)域?qū)?yīng)于除形成阻擋層的圖形的區(qū) 域和形成所述半導(dǎo)體層的圖形的區(qū)域之外的區(qū)域；

步驟24、刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域的阻擋薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的 圖形；

步驟25、對(duì)經(jīng)過(guò)步驟24之后的剩余光刻膠進(jìn)行灰化處理，去除所述部 分保留光刻膠區(qū)域的光刻膠；

步驟26、刻蝕掉暴露出來(lái)的阻擋薄膜，露出半導(dǎo)體層，形成阻擋層的圖 形；

步驟27、剝離剩余的光刻膠；

所述步驟3包括：

步驟31、在完成步驟2的基板上沉積歐姆接觸薄膜、透明導(dǎo)電薄膜、源 漏金屬薄膜和鈍化薄膜；

步驟32、在完成步驟31的基板上涂敷一層光刻膠；

步驟33、采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板形成完全保留光刻膠區(qū)域、部分保 留光刻膠區(qū)域和無(wú)光刻膠區(qū)域；完全保留光刻膠區(qū)域?qū)?yīng)于形成源電極、漏 電極和數(shù)據(jù)線的圖形的區(qū)域，部分保留光刻膠區(qū)域?qū)?yīng)于形成像素電極的圖 形的區(qū)域，無(wú)光刻膠區(qū)域?qū)?yīng)于形成除形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形 的區(qū)域，和形成像素電極的圖形的區(qū)域之外的區(qū)域；

步驟34、刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域的鈍化薄膜、源漏金屬薄膜、透明導(dǎo)電薄膜 和歐姆接觸薄膜，形成數(shù)據(jù)線和TFT溝道的圖形；

步驟35、對(duì)經(jīng)過(guò)步驟34之后的剩余光刻膠進(jìn)行灰化處理，去除所述部 分保留光刻膠區(qū)域的光刻膠；

步驟36、刻蝕暴露出來(lái)的鈍化薄膜和源漏金屬薄膜，露出透明導(dǎo)電薄膜， 形成像素電極和漏電極的圖形；

步驟37、剝離剩余的光刻膠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所 述阻擋層的面積小于所述半導(dǎo)體層的面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所 述阻擋層的厚度為100-300nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所 述半導(dǎo)體層的厚度為40-100nm。