[發明專利]弱磁性納微米粒子圖案化的高分子薄膜、加工方法及加工設備

無效

• 申請號: 200810239308.6
• 申請日: 2008-12-09
• 公開（公告）號: CN101428491A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 樸光哲;鄒凱;韓鑄;丁乃秀;李桂村;李榮勛;劉光燁;木村恒久
• 申請（專利權）人: 青島科技大學
• 主分類號: B32B7/02
• 分類號: B32B7/02;B32B33/00;C08J7/04;C03C17/28;C04B41/48;H01F7/00
• 代理公司: 北京法思騰知識產權代理有限公司
• 代理人: 史和初

1.一種弱磁性納微米粒子圖案化的高分子薄膜，其特征在于添加到高分子中的弱 磁性納微米粒子在基底內呈圖案化的定向取向的高分子薄膜，其中所述弱磁性納微米粒 子為納微米尺寸的抗磁性和順磁性物質，所述基底為高聚物薄膜、單晶硅片或玻璃薄片， 基底厚度在100μm以下。

2.根據權利要求1的高分子薄膜，其特征在于所述順磁性物質和抗磁性物質為有 機材料、無機材料或生物材料；所述高聚物薄膜為聚丙烯酰胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚 丙烯酸薄膜、聚乙二醇薄膜、聚電解質薄膜、聚氧化乙烯薄膜、聚乙烯吡咯烷酮薄膜、 聚馬來酸酐薄膜、聚二甲基二烯丙基氯化銨薄膜、聚乙烯胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚1- 丁烯環氧樹脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚異丁烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯化聚氯乙烯薄膜、 聚醋酸乙烯薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、聚異戊二烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚氯丁二烯薄膜、 聚環氧氯丙烷薄膜、環氧樹脂薄膜、聚苯砜薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯 薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龍膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚噻吩薄膜、環氧 樹脂薄膜或酚醛樹脂薄膜。

3.根據權利要求2的高分子薄膜，其特征在于所述順磁性物質和抗磁性物質為低 聚噻吩微晶、低聚苯微晶、蒽微晶、聚苯乙烯微球、富勒烯C₆₀納微米球、纖維素微晶、 氧化鎘、五氧化二礬、二氧化釩、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋅、碳酸鈣或氧化鋁納微 米晶體或晶須、碳納米管或紅細胞。

4.一種權利要求1的高分子薄膜的加工方法，包括下列步驟：①配制弱磁性納微米 粒子的高分子的預聚物、溶液或懸浮液；②磁場調制器置于水平方向或垂直方向均勻磁 場內，使磁場的磁力線垂直貫穿或平行于磁場調制器，在加工設備的磁場調制器表面上 調制所需圖案的磁場分布，抗磁性微粒被俘獲在磁場密度較低的勢能位置，順磁性微粒 被俘獲在磁場密度較高的勢能位置上來實現磁場圖案化；③在磁場調制器表面基底上涂 上步驟①中配制的弱磁性納微米粒子的高分子的預聚物溶液或懸浮液；④通過加熱或者 室溫揮發溶劑使微粒子固定，得到弱磁性納微米粒子呈圖案化的高分子薄膜。

5.根據權利要求4的高分子薄膜的加工方法，其特征在于所述弱磁性納微米粒子 為納微米尺寸的抗磁性和順磁性物質；所述高分子懸浮液或溶液為水溶性高分子和油溶 性高分子物質的懸浮液或溶液；所述預聚物為環氧樹脂或光固化樹脂；所述基底為高聚 物薄膜、單晶硅片或玻璃薄片，其基底厚度在100μm以下。

6.根據權利要求5的加工方法，其特征在于所述高聚物薄膜為聚丙烯酰胺薄膜、 聚乙烯醇薄膜、聚丙烯酸薄膜、聚乙二醇薄膜、聚電解質薄膜、聚氧化乙烯薄膜、聚乙 烯吡咯烷酮薄膜、聚馬來酸酐薄膜、聚二甲基二烯丙基氯化銨薄膜、聚乙烯胺薄膜、聚 苯乙烯薄膜、聚1-丁烯環氧樹脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚異丁烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯 化聚氯乙烯薄膜、聚醋酸乙烯薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、聚異戊二烯薄膜、聚丁二烯薄膜、 聚氯丁二烯薄膜、聚環氧氯丙烷薄膜、環氧樹脂薄膜、聚苯砜薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙 烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、尼龍膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚 噻吩薄膜、環氧樹脂薄膜或酚醛樹脂薄膜；所述高分子預聚物、溶液或懸浮液為環氧樹 脂、酚醛樹脂或聚氨酯的預聚物、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙二醇、聚電解質、聚苯乙 烯、聚丙烯、聚異丁烯、聚氯乙烯、氯化聚氯乙烯、聚醋酸乙烯、聚丙烯酸酯膜或聚異 戊二烯的溶液或其懸浮液；所述抗磁性或順磁性物質為有機材料、無機材料和生物材料。

7.根據權利要求6的加工方法，其特征在于所述抗磁性或順磁性物質為低聚噻吩 微晶、低聚苯微晶、蒽微晶、聚苯乙烯微球、富勒烯C60納微米球、纖維素微晶、氧化 鎘、五氧化二礬、二氧化釩、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋅、碳酸鈣或氧化鋁納微米晶 體或晶須碳納米管或紅細胞。