[發明專利]一種半導體脈沖功率開關關斷時間的檢測電路

無效

• 申請號: 200810236602.1
• 申請日: 2008-11-28
• 公開（公告）號: CN101419271A
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發明（設計）人: 梁琳;余岳輝
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 華中科技大學專利中心
• 代理人: 曹葆青

1、一種半導體脈沖功率開關關斷時間的檢測電路，其特征在于：它包括主回路(1)、預充回路(2)、關斷時間檢測回路(3)、充電回路(4)和延時觸發電路(5)；

充電回路(4)分別為主回路(1)、預充回路(2)和關斷時間檢測回路(3)的電容提供充電電流，使三個回路中電容上的電壓都達到預定值；

延時觸發電路(5)按照設置的延遲時間先后為預充回路(2)和關斷時間檢測回路(3)中的半導體開關提供觸發信號；

主回路(1)用于接受充電回路(4)提供的充電電流，使主回路的電壓上升到預定值；充電完畢后，主回路(1)接受預充回路(2)提供的觸發預充電流，然后開始放電過程，將能量轉換到負載上；

預充回路(2)首先接受充電回路(4)提供的充電電流，使預充回路的電壓上升到預定值，充電完畢后，預充回路(2)接受延時觸發電路(5)提供的信號并導通，再向主回路(1)提供觸發預充電流；

關斷時間檢測回路(3)接受充電回路(4)提供的充電電流，使該回路的電壓上升到預定值；充電完畢后，經過預先設置的延遲時間，關斷時間檢測回路(3)接受延時觸發電路(5)提供的信號并導通，將電壓信號加到主回路(1)中。

2、根據權利要求1所述的檢測電路，其特征在于：關斷時間檢測回路3包括關斷檢測電容C₀、第三可飽和磁開關(MS₀)、電阻R₀、第二半導體開關(T₀)和二極管D₀；

關斷檢測電容C₀、第三可飽和磁開關(MS₀)、電阻R₀、第二半導體開關(T₀)依次串聯，其中關斷檢測電容C₀的高壓端接第三可飽和磁開關(MS₀)、負載電阻R₀，再接第二半導體開關(T₀)陽極；關斷檢測電容C₀的低壓端接地，第二半導體開關(T₀)與二極管D₀反并聯，第二半導體開關(T₀)的陰極和二極管D₀的陽極接主回路(1)，第二半導體開關(T₀)的門極接延時觸發電路(5)的輸出端。

3、根據權利要求1或2所述的檢測電路，其特征在于：主回路(1)包括主電容C₁、第一可飽和磁開關(MS₁)、負載電阻R₁、反向開關晶體管(RSD)、分流器S、續流二極管D₁和電阻R_f；

主電容C₁、第一可飽和磁開關(MS₁)、負載電阻R₁、反向開關晶體管(RSD)、分流器S依次串聯，其中主電容C₁的高壓端接第一可飽和磁開關(MS₁)、負載電阻R₁，再接反向開關晶體管(RSD)的陽極，主電容C₁低壓端接地，續流二極管D₁和電阻R_f并聯在主電容C₁兩端，續流二極管D₁陽極接地。

4、根據權利要求1或2所述的檢測電路，其特征在于：預充回路(2)包括預充電容C₂，第二可飽和磁開關(MS₂)、第一半導體開關(T₁)、電阻R₂和二極管D₂；

預充電容C₂、第二可飽和磁開關(MS₂)、第一半導體開關(T₁)依次串聯，其中的預充電容C₂高壓端接第二可飽和磁開關(MS₂)，再接第一半導體開關(T₁)的陽極，預充電容C₂的低壓端接地；電阻R₂一端與二極管D₂陽極相接，二極管D₂陰極接電容C₂高壓端，電阻R₂另一端與充電回路(4)連接，第一半導體開關(T₁)的門極接延時觸發電路(5)的輸出端。

5、根據權利要求1或2所述的檢測電路，其特征在于：充電回路(4)包括交流電源(AC)、限流電阻R_c、高壓硅堆D₃；

交流電源(AC)、限流電阻R_c、高壓硅堆D₃依次串聯，其中高壓硅堆D₃的陰極接主回路(1)、預充回路(2)，以及第二半導體開關(T₀)的陰極，交流電源(AC)的低壓端接地。