[發(fā)明專利]形成堆疊電容器動態(tài)隨機存取存儲器單元的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010138658.0
• 申請日: 2006-06-12
• 公開（公告）號: CN101826561A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沃納·云林
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92;H01L27/108;H01L23/522;H01L21/02;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種半導(dǎo)體構(gòu)造，其包括：

接觸插塞，其具有上表面；

第一底板，其與所述上表面電接觸并相對于所述上表面垂直向上延伸到第一高度，所述第一底板經(jīng)六面化且具有寬度大致相等的頂面和底面；

第二底板，其與所述第一底板間隔一距離；以及

絕緣支撐結(jié)構(gòu)，其在所述上表面與所述第一高度之間的第二高度處跨越所述第一與第二底板之間的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體構(gòu)造，其中所述第一和第二底板包括多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體構(gòu)造，其中所述第一和第二底板包括半球狀顆粒多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體構(gòu)造，其中所述絕緣支撐結(jié)構(gòu)包括氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體構(gòu)造，其中所述絕緣支撐結(jié)構(gòu)是第一絕緣支撐結(jié)構(gòu)，且進一步包括在第三高度處跨越所述第一與第二底板之間距離的第二絕緣支撐結(jié)構(gòu)，所述第三高度在所述第一與第二高度中間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體構(gòu)造，其中所述支撐結(jié)構(gòu)與所述第一底板所包括的第一垂直側(cè)壁接觸，并與所述第二垂直底板所包括的第二垂直側(cè)壁接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體構(gòu)造，其進一步包括：

第一介電層，其設(shè)置在所述第一垂直側(cè)壁上；

第二介電層，其設(shè)置在所述第二垂直側(cè)壁上；以及

導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述第一與第二介電層之間。

8.一種存儲器單元，其包括單個電容器底板，所述電容器底板與單個接觸插塞電接觸并從所述單個接觸插塞垂直延伸，所述電容器底板具有垂直高度、板寬度，以及大于或等于所述板寬度的十倍的板長度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器單元，其中所述電容器底板是大體上平坦的。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器單元，其中所述電容器底板包括多晶硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器單元，其中所述電容器底板包括TiN。

12.一種存儲器單元，其包括耦合到電容器的晶體管，所述電容器具有電連接到襯底內(nèi)的接觸插塞的單個垂直經(jīng)六面化的底板，所述單個垂直經(jīng)六面化的底板在第一鄰近電容器的第一經(jīng)六面化的底板與第二鄰近電容器的第二經(jīng)六面化的底板之間水平對準(zhǔn)，所述單個垂直經(jīng)六面化的底板在和所述第一鄰近電容器相關(guān)聯(lián)的第一鄰近接觸插塞與和所述第二鄰近電容器相關(guān)聯(lián)的第二鄰近接觸插塞之間通過。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器單元，其中所述單個垂直底板大體上平行于所述第一和第二底板。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器單元，其中所述第一鄰近接觸插塞具有一插塞寬度并與所述第二鄰近接觸插塞分離第一距離，所述第一距離與所述寬度的總和界定插塞間距；其中所述單個垂直底板具有板厚度并與所述第一底板和所述第二底板的每一者分離第二距離，所述第二距離與所述板厚度的總和界定板間距；且其中所述插塞間距約為所述板間距的兩倍。