[發(fā)明專利]高導(dǎo)熱微波衰減器材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810227383.0 | 申請日： | 2008-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN101734922A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊志民;董桂霞;馬書旺;杜軍;毛昌輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號： | C04B35/581 | 分類號： | C04B35/581;C04B41/88;H01P1/22 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小強 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)熱 微波 衰減器 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種高導(dǎo)熱微波衰減器材料，其特征在于：包括金屬相Mo或W：1.65～ 2.01vol.％；介質(zhì)相AlN：93～96vol.％；燒結(jié)助劑CaF2：2～5vol.％，所述金屬相 Mo或W為磁控濺射鍍膜，其制備方法步驟如下：
(1)將高純Mo或W靶裝在磁控濺射爐腔體中，在磁控濺射爐體內(nèi)配置多個 可以轉(zhuǎn)動的盛料桶；
(2)將AlN粉末與CaF2粉末按體積比19∶1～40∶1混合均勻，采用瑪瑙罐和氧化 鋯球，以無水乙醇為研磨介質(zhì)，按照球料比4∶1在高能行星球磨機上混料24小時， 轉(zhuǎn)速為125轉(zhuǎn)/分，得到混合粉體漿料；
(3)將步驟(2)所述的混合粉體漿料干燥篩分后，裝入磁控濺射鍍膜機的盛 料桶中；盛料桶的轉(zhuǎn)速為30～50轉(zhuǎn)/分，擺動周期2秒；
(4)采用高純Mo或W靶，抽真空至1.O×10-2Pa以下，氬氣工作氣壓為O.13～ O.15Pa，濺射功率為250～300W，濺射時間為2～3h，每濺射10min間歇3min，得 到鍍有Mo膜的Mo-AlN或鍍有W膜的W-AlN粉體；
(5)將步驟(4)所得鍍有Mo膜的Mo-AlN或鍍有W膜的W-AlN粉體在250～ 350℃氫氣保護下熱處理，并根據(jù)鍍膜前后重量差測量并計算金屬占復(fù)合材料的體 積百分比；
(6)將步驟(5)所得Mo-AlN或W-AlN復(fù)合粉體先進行單向軸壓成型，然后 進行冷等靜壓成型，得到Mo-AlN或W-AlN復(fù)合生坯；
(7)將步驟(6)所得復(fù)合生坯置于ZrO2或AlN坩堝中進行氮氣氛下1650～ 1720℃×1～3h常壓燒結(jié)，即得到Mo-AlN或W-AlN復(fù)合塊體材料；
(8)將步驟(7)所述復(fù)合塊體材料按具體使用時的形狀和尺寸進行加工，即 得到用于微波衰減器的Mo-AlN或W-AlN復(fù)合塊體材料。
2.一種高導(dǎo)熱微波衰減器材料的制備方法，其步驟如下：
(1)將高純Mo或W靶裝在磁控濺射爐腔體中，在磁控濺射爐體內(nèi)配置多個 可以轉(zhuǎn)動的盛料桶；
(2)將AlN粉末與CaF2粉末按體積比19∶1～40∶1混合均勻，采用瑪瑙罐和氧化 鋯球，以無水乙醇為研磨介質(zhì)，按照球料比4∶1在高能行星球磨機上混料24小時， 轉(zhuǎn)速為125轉(zhuǎn)/分，得到混合粉體漿料；
(3)將步驟(2)所述的混合粉體漿料干燥篩分后，裝入磁控濺射鍍膜機的盛 料桶中；盛料桶的轉(zhuǎn)速為30～50轉(zhuǎn)/分，擺動周期2秒；
(4)采用高純Mo或W靶，抽真空至1.0×10-2Pa以下，氬氣工作氣壓為0.13～ 0.15Pa，濺射功率為250～300W，濺射時間為2～3h，每濺射10min間歇3min，得 到鍍有Mo膜的Mo-AlN或鍍有W膜的W-AlN粉體；
(5)將步驟(4)所得鍍有Mo膜的Mo-AlN或鍍有W膜的W-AlN粉體在250～ 350℃氫氣保護下熱處理，并根據(jù)鍍膜前后重量差測量并計算金屬占復(fù)合材料的體 積百分比；
(6)將步驟(5)所得Mo-AlN或W-AlN復(fù)合粉體先進行單向軸壓成型，然后 進行冷等靜壓成型，得到Mo-AlN或W-AlN復(fù)合生坯；
(7)將步驟(6)所得復(fù)合生坯置于ZrO2或AlN坩堝中進行氮氣氛下1650～ 1720℃×1～3h常壓燒結(jié)，即得到Mo-AlN或W-AlN復(fù)合塊體材料；
(8)將步驟(7)所述復(fù)合塊體材料按具體使用時的形狀和尺寸進行加工，即 得到用于微波衰減器的Mo-AlN或W-AlN復(fù)合塊體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高導(dǎo)熱微波衰減器材料的制備方法，其特征在于： 所述步驟(5)中所述的在250～350℃氫氣保護下熱處理的時間為1小時。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高導(dǎo)熱微波衰減器材料的制備方法，其特征在于： 所述步驟(6)中所述單向軸壓成型為在3～5Mpa下進行1～5min，所述冷等靜壓 成型為在200Mpa下進行15min。
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