[發明專利]灰化處理方法有效
| 申請號： | 200810226329.4 | 申請日： | 2008-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN101740333A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發明（設計）人： | 韓秋華;杜姍姍;韓保東 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志強;麻海明 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 灰化 處理 方法 | ||
1.一種灰化處理方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
A、在真空環境的灰化室中設置被處理體，所述被處理體為磷摻雜的多晶硅晶圓；
B、向灰化室中導入氧氣、四氟化碳CF4氣體和氮化氫N2H2氣體組成的混合氣體，并將所述混合氣體等離子化，從而對被處理體表面的單質磷進行灰化；
C、將被處理體置于高溫環境，向灰化室中導入氧氣、CF4氣體和N2H2氣體組成的混合氣體，并將所述混合氣體等離子化，從而對被處理體表面的磷化物進行灰化；
所述步驟B和步驟C中向灰化室導入CF4氣體的流量小于或等于30sccm。
2.根據權利要求1所述的灰化處理方法，其特征在于，所述步驟C中向灰化室導入CF4氣體的流量小于所述步驟B中向灰化室導入CF4氣體的流量。
3.根據權利要求1所述的灰化處理方法，其特征在于，所述步驟C中向灰化室導入N2H2氣體的流量小于所述步驟B中向灰化室導入N2H2氣體的流量。
4.根據權利要求1所述的灰化處理方法，其特征在于，所述步驟B之前進一步包括：向灰化室內導入氧氣和CF4氣體的混合氣體，使灰化室的等離子激發系統的功率設置為工作狀態，使得灰化室中的氣體被電離形成等離子體，然后將所述等離子激發系統設置為非工作狀態。
5.根據權利要求1至4任一項所述的灰化處理方法，其特征在于，在所述步驟C之后，進一步包括：向灰化室內通入氧氣。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
