[發明專利]CMOS電流自動控制晶體振蕩器

有效

• 申請號: 200810216346.X
• 申請日: 2008-09-27
• 公開（公告）號: CN101552592A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 王瀾;袁遠
• 申請（專利權）人: 美芯集成電路（深圳）有限公司
• 主分類號: H03B5/38
• 分類號: H03B5/38;H03G3/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種CMOS電流自動控制晶體振蕩器，其特征在于：

包括振蕩電路(1)、幅度檢測電路(2)、自動增益控制電路(3)、電流源(4)和電平檢測單元(5)；

其中電流源(4)接振蕩電路(1)，振蕩電路(1)信號輸出端接振蕩信號幅度檢測電路(2)，幅度檢測電路(2)信號輸出端接自動增益控制電路(3)，自動增益控制電路(3)的反饋信號輸出端接電流源(4)用以控制偏置電流；

振蕩電路(1)的信號輸出端還接電平檢測單元(5)，電平檢測單元(5)的關斷信號輸出端接電流源(4)和自動增益控制電路(3)?;

振蕩電路(1)由NMOS主振管M1與電阻R1、R2、R3組成；NMOS主振管M1柵極同時與電阻R3、振蕩電容Co1和幅度檢測電路(2)的信號輸入端連接，NMOS主振管M1源極接振蕩電容Co1、Co2、電流源(4)的輸出端和電平檢測單元(5)的信號輸入端，NMOS主振管M1漏極接電源；振蕩電容Co1、Co2串聯后與晶體并聯；振蕩電容Co2與晶體的連接點連接到地；電阻R1和R2串聯在電源和地之間，串聯點連接電阻R3。

2.根據權利要求1所述的電流自動控制晶體振蕩器，其特征在于：電流源(4)由NMOS管M2和M9組成；NMOS管M2的漏極接NMOS主振管M1的源極，NMOS管M9的漏極接NMOS管M2的柵極，同時連接到自動增益控制電路(3)的輸出端。NMOS管M2和NMOS管M9的源極相連并且連接到地。

3.根據權利要求1所述的電流自動控制晶體振蕩器，其特征在于：幅度檢測電路(2)由NMOS管M3、電容C1、電阻R4組成，電容C1與電阻R4串聯，串聯點接NMOS管M3的柵極，電容C1接NMOS主振管M1的柵極，NMOS管M3的漏極為輸出端，NMOS管M3的源極與電阻R4相連并連接到地。

4.根據權利要求1所述的電流自動控制晶體振蕩器，其特征在于：自動增?益控制電路(3)由PMOS管M4、兩個電容C2、C3和一個電阻R5組成，PMOS管M4的漏極接電容C2和電阻R5，PMOS管M4的漏極還與NMOS管M3的漏極相接，PMOS管M4的源極接電源，電阻R5和電容C3串接，串聯點為輸出端，電容C3接NMOS管M3的源極并且連接到地。

5.根據權利要求1所述的電流自動控制晶體振蕩器，其特征在于：電平檢測單元(5)由兩個PMOS管M5、M7、兩個NMOS管M6、M8、一個反相器組成，PMOS管M5的源極與NMOS管M6的漏極并聯，連接至NMOS主振管M1的源極，PMOS管M5的漏極與NMOS管M6的源極并聯，連接至PMOS管M7、NMOS管M8的柵極；PMOS管M5的柵極與NMOS管M6的柵極相連，PMOS管M7的漏極和NMOS管M8的漏極相連，接至反相器的輸入端，反相器的輸出端接電流源(4)的NMOS管M9和自動增益控制電路(3)的PMOS管M4的柵極。?