[發明專利]薄膜晶體管的制造方法及顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200810215715.3
• 申請日: 2008-09-02
• 公開（公告）號: CN101383290A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 宮入秀和;笹川慎也;石塚章廣
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/306;H01L21/84
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 侯穎媖

1.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

在柵電極層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成半導體層；

在所述半導體層上形成雜質半導體層；

通過利用第一抗蝕掩模形成包含所述半導體層和所述雜質半導體層的 島狀半導體層，所述島狀半導體層與所述柵電極層的至少一部分重疊；

在所述柵極絕緣層和所述島狀半導體層上形成導電層；

通過利用第二抗蝕掩模蝕刻所述導電層，從而在所述導電層上形成源 電極層和漏電極層；

通過蝕刻所述島狀半導體層的所述雜質半導體層，使所述半導體層的 一部分露出，從而在所述薄膜晶體管中形成背溝道部；

在蝕刻所述島狀半導體層的所述雜質半導體層之后，去掉所述第二抗 蝕掩模；以及

在去掉所述第二抗蝕掩模之后，蝕刻所述背溝道部的一部分。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，以無偏向的方 式進行蝕刻所述背溝道部的一部分的步驟。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，利用Cl2氣體進 行蝕刻所述背溝道部的一部分的步驟。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，利用脈沖放電 進行蝕刻所述背溝道部的一部分的步驟。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，所述半導體層 包含由微晶半導體層和非晶半導體層構成的疊層，且所述非晶半導體層設 置在所述半導體層的接觸所述雜質半導體層的一側。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，在蝕刻所述背 溝道部的一部分的步驟中，蝕刻0nm～5nm的深度。

7.一種顯示裝置的制造方法，包括如下步驟：

根據權利要求1所述的方法制造薄膜晶體管，

形成連接所述薄膜晶體管所包含的源電極層和漏電極層的像素電極 層，

其中，所述像素電極層由具有透光性的導電性材料形成。

8.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

在柵電極層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成半導體層；

在所述半導體層上形成雜質半導體層；

通過利用第一抗蝕掩模形成包含所述半導體層和所述雜質半導體層的 島狀半導體層，所述島狀半導體層與所述柵電極層的至少一部分重疊；

在所述柵極絕緣層和所述島狀半導體層上形成導電層；

通過利用第二抗蝕掩模蝕刻所述導電層，從而在所述導電層上形成源 電極層和漏電極層；

去掉所述第二抗蝕掩模；

在去掉所述第二抗蝕掩模之后，通過蝕刻所述島狀半導體層的所述雜 質半導體層，使所述半導體層的一部分露出，從而在所述薄膜晶體管中形 成背溝道部；以及

蝕刻所述背溝道部的一部分。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，以無偏向的方 式進行蝕刻所述背溝道部的一部分的步驟。

10.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，利用Cl2氣體 進行蝕刻所述背溝道部的一部分的步驟。

11.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，利用脈沖放電 進行蝕刻所述背溝道部的一部分的步驟。

12.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，所述半導體層 包含由微晶半導體層和非晶半導體層構成的疊層，且所述非晶半導體層設 置在所述半導體層的接觸所述雜質半導體層的一側。

13.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，在蝕刻所述背 溝道部的一部分的步驟中，蝕刻0nm～5nm的深度。

14.一種顯示裝置的制造方法，包括如下步驟：

根據權利要求8所述的方法制造薄膜晶體管，

形成連接所述薄膜晶體管所包含的源電極層和漏電極層的像素電極 層，

其中，所述像素電極層由具有透光性的導電性材料形成。