[發(fā)明專利]激光二極管用外延晶片及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810212432.3 | 申請日： | 2008-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN101425658A | 公開（公告）日： | 2009-05-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黑須健 | 申請（專利權）人： | 日立電線株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/00 | 分類號： | H01S5/00;H01S5/323;C30B29/40;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人： | 鐘 晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光 二極 管用 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.激光二極管用外延晶片，其為具有雙異質結構的化合物半導體外延晶片，即在n型GaAs襯底上依次至少層疊n型包覆層、活性層以及p型包覆層，并且所述n型包覆層、活性層以及p型包覆層均由AlGaInP系材料構成，其特征在于，所述由AlGaInP系材料構成的p型包覆層中的p型雜質為碳，所述p型包覆層中的載流子濃度在8.0×1017cm-3以上、1.5×1018cm-3以下的范圍。
2.根據權利要求1所述的激光二極管用外延晶片，其特征在于，所述由AlGaInP系材料構成的n型包覆層中的n型雜質為硅。
3.激光二極管用外延晶片的制造方法，對被加熱的n型GaAs襯底，供給必要的III族原料氣體、V族原料氣體、載流氣體以及摻雜劑原料氣體，在所述n型GaAs襯底上，至少生長具有n型包覆層、活性層以及p型包覆層的雙異質結構的外延層，并且所述n型包覆層、活性層以及p型包覆層均由AlGaInP系材料構成，其特征在于，在生長所述由AlGaInP系材料構成的p型包覆層時，作為所述摻雜劑原料氣體供給四溴化碳，使所述p型包覆層中的載流子濃度在8.0×1017cm-3以上、1.5×1018cm-3以下的范圍。
4.根據權利要求3所述的激光二極管用外延晶片的制造方法，其特征在于，生長所述由AlGaInP系材料構成的n型包覆層時，作為所述摻雜劑原料氣體，供給硅摻雜原料氣體，向所述n型包覆層中摻雜硅。
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