[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810211510.8
• 申請日: 2008-09-10
• 公開（公告）號: CN101471342A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 金大均
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/762
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李丙林;張 英

1.一種半導體器件，包括：

溝槽，在半導體襯底的隔離區中，所述溝槽具有預定的深度；

襯墊氧化層，在所述溝槽外部的所述半導體襯底上；

熱氧化層，在所述溝槽的內側壁上；

氮化層，在所述溝槽內覆蓋所述熱氧化層；

隔離層，填充所述溝槽；以及

隔離件，覆蓋所述熱氧化層的最上表面。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述隔離件包括：

鈍化層，與所述氮化層的最上表面接觸。

3.根據權利要求2所述的器件，其中，所述鈍化層包含氮化硅。

4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述隔離層包含高密度等離子氧化物。

5.根據權利要求1所述的器件，其中，所述襯墊氧化層與所述熱氧化層的側表面相接觸。

6.根據權利要求5所述的器件，其中，所述襯墊氧化層在所述隔離件下方。

7.根據權利要求6所述的器件，其中，所述襯墊氧化層具有與隔離件邊緣排成直線的側壁。

8.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底的整個表面上方形成襯墊氧化層；

去除在所述半導體器件的隔離區中的一部分所述襯墊氧化層和一部分所述半導體襯底以在所述半導體襯底中形成具有預定深度的溝槽；

在所述溝槽的內側壁上形成熱氧化層；

用氮化層覆蓋所述溝槽中的所述熱氧化層；

用隔離層填充所述溝槽；

通過化學機械拋光去除一部分所述隔離層以暴露所述氮化層；

去除所述襯墊氧化層上方的所述氮化層；

在所述襯底的整個表面上方形成鈍化層；以及

蝕刻所述鈍化層以形成覆蓋所述溝槽外部的所述熱氧化層的隔離件。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述鈍化層包含氮化硅。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，去除所述氮化層包括濕蝕刻。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，去除所述氮化層包括干蝕刻。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，蝕刻所述鈍化層包括干蝕刻。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述隔離件包括：

鈍化層，在所述半導體襯底上方，與所述熱氧化層的側表面接觸。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述鈍化層包括氮化硅。

15.根據權利要求8所述的方法，更進一步包括，去除在去除所述氮化層之后被暴露的所述襯墊氧化層，在所述隔離件之下留下一部分所述襯墊氧化層。

16.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述熱氧化層包括使所述溝槽的表面遭受犧牲氧化工藝。

17.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述熱氧化層包括熱氧化所述溝槽的所述側壁表面。

18.根據權利要求8所述方法，更進一步包括：

在用所述隔離層填充所述溝槽之后對所述半導體襯底實施退火。

19.根據權利要求8所述方法，其中，在用所述隔離層填充所述溝槽之前，所述氮化層覆蓋包括所述襯墊氧化層的所述半導體襯底的整個表面。

20.根據權利要求8所述的方法，其中，去除所述隔離層的所述部分暴露了在所述溝槽外部的所述氮化層。