[發(fā)明專利]圖案化晶圓缺點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及其方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810210608.1 | 申請(qǐng)日: | 2008-08-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101358935A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿曼努拉·阿杰亞拉里;京林;春林·盧克·曾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)備私人有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/956 | 分類號(hào): | G01N21/956;G01R31/00;G01B11/00 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 新加坡25加冷*** | 國(guó)省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖案 化晶圓 缺點(diǎn) 檢測(cè) 系統(tǒng) 及其 方法 | ||
1.一個(gè)用于檢測(cè)半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng),其特征在于,包括:
一個(gè)基于計(jì)算機(jī)運(yùn)行的區(qū)域選擇系統(tǒng),所述的區(qū)域選擇系統(tǒng)從一個(gè)半導(dǎo) 體晶圓上選取多個(gè)區(qū)域,所述半導(dǎo)體晶圓分為多個(gè)半導(dǎo)體晶片,所述區(qū)域包 括多個(gè)半導(dǎo)體晶片;
一個(gè)基于計(jì)算機(jī)運(yùn)行的區(qū)域金模板系統(tǒng),所述的金模板系統(tǒng)為所述多個(gè) 區(qū)域內(nèi)的每一個(gè)區(qū)域生成一個(gè)區(qū)域金模板,每一個(gè)所述區(qū)域金模板基于與一 個(gè)區(qū)域內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體晶片相對(duì)應(yīng)的多個(gè)晶片圖像產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)晶片圖像; 以及,
一個(gè)組金模板系統(tǒng),所述的組金模板系統(tǒng)生成多個(gè)組金模板,每一個(gè)所 述組金模板基于兩個(gè)或更多個(gè)所述區(qū)域金模板產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)晶片圖像。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括:
一個(gè)主金模板系統(tǒng),所述的主金模板系統(tǒng)從多個(gè)組金模板中生成一個(gè)主金 模板,所述主金模板產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)晶片圖像;
一個(gè)用于檢測(cè)半導(dǎo)體晶片的檢測(cè)系統(tǒng),其中,主金模板首先被用來(lái)檢測(cè)半 導(dǎo)體晶片,如果晶片圖像的主金模板檢測(cè)失敗了,那么多個(gè)組金模板被用來(lái) 檢測(cè)半導(dǎo)體晶片,如果用組金模板進(jìn)行的一個(gè)或多個(gè)檢測(cè)通過(guò),那么半導(dǎo)體 晶片檢測(cè)通過(guò)。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括一個(gè)主晶片檢測(cè)系統(tǒng), 以及一個(gè)組晶片檢測(cè)系統(tǒng),如果由所述主晶片檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行的晶片圖像檢測(cè) 失敗了,則用所述組晶片檢測(cè)系統(tǒng)比較一個(gè)晶片圖像和至少一個(gè)組金模板, 其中,每個(gè)組金模板與所述主金模板中的部分相對(duì)應(yīng)。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括一個(gè)區(qū)域晶片檢測(cè)系 統(tǒng),如果由主晶片檢測(cè)系統(tǒng)和組晶片檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行的晶片圖像檢測(cè)均失敗了, 則用所述區(qū)域晶片檢測(cè)系統(tǒng)比較一個(gè)晶片圖像和至少一個(gè)區(qū)域金模板。
5.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括:
一個(gè)主晶片檢測(cè)系統(tǒng),比較一個(gè)晶片圖像和所述的主金模板;
一個(gè)中間晶片檢測(cè)系統(tǒng),比較所述的晶片圖像和所述的組金模板中的一 個(gè)。
6.如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括一個(gè)區(qū)域晶片檢測(cè)系 統(tǒng),比較所述的晶片圖像和區(qū)域金模板中的一個(gè)。
7.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括一個(gè)照明選擇系統(tǒng), 選擇兩個(gè)或多個(gè)不同照明裝置的一個(gè),來(lái)照亮所述的半導(dǎo)體晶圓不論生成區(qū) 域金模板或者生成組金模板都需要所述照明選擇系統(tǒng)。
8.如權(quán)利要求1或2所述的系統(tǒng),其特征在于,進(jìn)一步包括一個(gè)晶圓控制 系統(tǒng),用于移動(dòng)并檢測(cè)多個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體晶片中的每一個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其特征在于,所述區(qū)域選擇系統(tǒng)選擇一個(gè)半 導(dǎo)體晶圓上的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域被檢測(cè),從該晶圓上,該區(qū)域的金模板已經(jīng)生 成,并且所述區(qū)域選擇系統(tǒng)檢測(cè)從其中提煉出一個(gè)金模板的預(yù)定區(qū)域,或者 評(píng)估亮度改變,特征位置內(nèi)的不同,或者柱狀圖數(shù)據(jù)來(lái)檢測(cè)該區(qū)域,該區(qū)域 的金模板已經(jīng)生成。
10.一種檢測(cè)半導(dǎo)體部件的方法,其特征在于,包括:
利用計(jì)算機(jī)比較一個(gè)晶片圖像和一個(gè)主金模板,其中主金模板表示所述 晶片圖像中預(yù)先定義的區(qū)域,所述主金模板產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)晶片圖像;
如果所述的晶片圖像沒(méi)有通過(guò)其與主金模板的對(duì)比,則利用計(jì)算機(jī)比較 所述的晶片圖像和一組金模板,其中,所述主金模板由多個(gè)組金模板所產(chǎn)生, 所述組金模板產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)晶片圖像。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,進(jìn)一步包括,如果所述的晶片 圖像沒(méi)有通過(guò)其與所述組金模板的對(duì)比,則比較所述的晶片圖像和一個(gè)區(qū)域 金模板,所述區(qū)域金模板產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)晶片圖像,基于與在一個(gè)半導(dǎo)體晶圓 區(qū)域內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體晶片相對(duì)應(yīng)的多個(gè)晶片圖像而產(chǎn)生。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,如果所述的晶片圖像沒(méi)有通過(guò) 其與主金模板的對(duì)比,則比較晶片圖像和所述的組金模板的過(guò)程包括比較所 述的晶片圖像和兩個(gè)或多個(gè)組金模板中的每一個(gè)。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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