[發明專利]顯示基底、加工其的方法和使用其的顯示設備

有效

• 申請號: 200810210384.4
• 申請日: 2008-07-04
• 公開（公告）號: CN101620352A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發明（設計）人: 金鎮奭;李永旭;李宜具
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1335;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王新華

1.一種顯示基底，其包含：

開關構件，其包括柵極線、與該柵極線交叉的數據線和電連接到該柵 極線和該數據線的薄膜晶體管(TFT)；

形成在該開關構件上的濾色器層；

形成在該濾色器層上的無機絕緣層，該無機絕緣層在相應于柱狀間隔 的位置形成有間隔孔，該間隔孔暴露對應于該薄膜晶體管(TFT)的該濾色 器層的一部分，和該間隔孔形成在該薄膜晶體管(TFT)的溝道部分上；以 及

形成在該無機絕緣層上的像素電極。

2.如權利要求1所述的顯示基底，其中該無機絕緣層包含氮化硅 (SiNx)。

3.如權利要求1所述的顯示基底，其中該濾色器層包含相應每個像素 形成的紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器。

4.如權利要求1所述的顯示基底，其中該開關構件進一步包含由形成 該柵極線的金屬層形成的存儲電極。

5.如權利要求4所述的顯示基底，其中該濾色器層上形成有存儲孔， 所述存儲孔暴露對應于所述存儲電極的該開關構件的一部分。

6.如權利要求1所述的顯示基底，其中該開關構件進一步包含：

形成在具有該柵極線的絕緣基底上的柵極絕緣層；以及

形成在其上形成有該柵極線、該柵極絕緣層、該數據線和該薄膜晶體 管(TFT)的該絕緣基底上的保護層。

7.如權利要求6所述的顯示基底，其中接觸孔穿過該保護層、該濾色 器層和該無機絕緣層而形成從而暴露該薄膜晶體管(TFT)的漏極的一部分。

8.一種加工顯示基底的方法，該方法包含：

在絕緣基底上形成包括柵極線、與該柵極線交叉的數據線和電連接到 該柵極線和該數據線的薄膜晶體管(TFT)的開關構件；

在該開關構件上形成濾色器層；

在該濾色器層上形成無機絕緣層，所述無機絕緣層在相應于柱狀間隔 的位置具有暴露對應于該薄膜晶體管(TFT)的該濾色器層的一部分的間隔 孔，該間隔孔形成在薄膜晶體管(TFT)的溝道部分上；以及

在該無機絕緣層上形成像素電極。

9.如權利要求8所述的方法，其中形成該開關構件包括：

在該絕緣基底上形成包括該柵極線、該薄膜晶體管(TFT)的柵極電極 和存儲電極的第一金屬圖案；

在其上形成有該第一金屬圖案的該絕緣基底上形成柵極絕緣層；

在該柵極絕緣層上形成包括該數據線、該薄膜晶體管(TFT)的源和漏極 的第二金屬圖案；以及

在其上形成有所述第二金屬圖案的該絕緣基底上形成保護層。

10.如權利要求9所述的方法，其中形成該濾色器層包栝：

在該開關構件上形成紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器；以及

在該紅色、綠色和藍色濾色器中的每個上形成存儲孔和第一接觸孔， 該存儲孔暴露對應于該存儲電極的該開關構件的一部分，和該第一接觸孔 暴露對應于該漏極的該開關構件的一部分。

11.如權利要求10所述的方法，其中形成該無機絕緣層包括：

在其上形成有該存儲孔和該第一接觸孔的該濾色器層上形成無機絕緣 材料；

通過圖形化該無機絕緣材料形成間隔孔和第二接觸孔，該間隔孔暴露 對應于該薄膜晶體管(TFT)的該濾色器層的一部分，和該第二接觸孔暴露 對應于該漏極的該開關構件的一部分；以及

穿過該保護層形成暴露該漏極的一部分的第三接觸孔。

12.如權利要求11所述的方法，其中該第二接觸孔通過與該第三接觸 孔的同一工藝同時形成在濾色器層上。