[發明專利]磁記錄頭和磁記錄裝置

有效

• 申請號: 200810210004.7
• 申請日: 2008-08-22
• 公開（公告）號: CN101373597A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 山田健一郎;巖崎仁志;秋山純一;高岸雅幸;船山知己;高下雅弘;清水真理子;村上修一;甲斐正
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/31
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 鄔少俊;王英

1.一種磁記錄頭，包括：

主磁極；

包括第一磁層、第二磁層和中間層的層疊體，該第一磁層具有低于由所 述主磁極施加的磁場的矯頑力，該第二磁層具有低于由所述主磁極施加的磁 場的矯頑力，并且該中間層設置在所述第一磁層和第二磁層之間；

一對電極，用于使電流通過所述層疊體；以及

屏蔽，

其中，所述第一磁層、中間層和第二磁層層疊為基本上平行于介質移動 方向，

所述層疊體夾置在所述屏蔽和所述主磁極之間。

2.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述第一磁層的矯頑力低于所述第二磁層的矯頑力，以及

所述電流經由所述一對電極從所述第二磁層傳輸到所述第一磁層。

3.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，還包括：

設置在所述主磁極和所述層疊體之間的第三磁層，

其中所述第三磁層具有高于所述第一磁層的飽和磁通密度。

4.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，還包括：

設置在所述屏蔽和所述層疊體之間的第四磁層，

其中所述第四磁層具有高于所述第一磁層的飽和磁通密度。

5.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，還包括：

設置在所述電極其中之一與所述第一磁層之間的第五磁層，

其中所述第五磁層具有低于由所述主磁極施加的磁場的矯頑力。

6.根據權利要求5所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述第五磁層包含從以下組中選擇的至少一種材料：該組由Ru、W、 Re、Os、Ir、Sm、Eu、Tb、Gd、Dy、Ho、Rh和Pd組成。

7.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述第二磁層包含從以下組中選擇的至少一種材料：該組由Ru、W、 Re、Os、Ir、Sm、Eu、Tb、Gd、Dy、Ho、Rh和Pd組成。

8.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述一對電極中比另一電極更靠近所述第二磁層的電極包含從以下組中 選擇的至少一種材料：由Ru、Rh、Pd、Ir和Pt組成的組。

9.根據權利要求5所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述一對電極中比另一電極更靠近所述第五磁層的電極包含從以下組中 選擇的至少一種材料：由Ru、Rh、Pd、Ir和Pt組成的組。

10.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述層疊體還包括臨近所述第二磁層的第六磁層，

所述第二磁層設置在所述第六磁層和所述一對電極其中之一之間，并且

所述第六磁層具有高于所述第二磁層的飽和磁通密度。

11.根據權利要求10所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述第六磁層的易磁化軸基本上垂直于面對所述層疊體的主磁極表面的 法線，并且

所述第六磁層的晶體各向異性磁場的絕對值大于或者等于所述第六磁層 的飽和磁通密度的一半。

12.根據權利要求5所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述層疊體還包括臨近所述第五磁層的第七磁層，

所述第五磁層設置在所述第七磁層和所述第一磁層之間，并且

所述第七磁層具有高于所述第五磁層的飽和磁通密度。

13.根據權利要求12所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述第七磁層的易磁化軸基本上垂直于面對所述層疊體的主磁極表面的 法線，并且

所述第七磁層的晶體各向異性磁場的絕對值大于或者等于所述第七磁層 的飽和磁通密度的一半。

14.根據權利要求1所述的磁記錄頭，其特征在于，

所述第二磁層包括第八磁層和層疊在該第八磁層上的第九磁層，并且

所述第九磁層具有高于所述第八磁層的飽和磁通密度。