[發明專利]與BCD集成制造工藝兼容的垂直雙極型器件制造工藝

無效

• 申請號: 200810207835.9
• 申請日: 2008-12-25
• 公開（公告）號: CN101764100A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 永福;龔大衛;陳雪萌;呂宇強
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8248
• 分類號: H01L21/8248;H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種與BCD集成制造工藝兼容的垂直雙極型器件制造工藝，其特征在于，

制造垂直雙極型器件的集電區時，首先進行溝槽光刻步驟，之后在形成的溝槽中填充鎢形成所述垂直雙極型器件的集電區。

2.如權利要求1所述的與BCD集成制造工藝兼容的垂直雙極型器件制造工藝，其特征在于，包括：

在襯底上形成N型埋層；

生長N型外延層；

進行局部氧化隔離；

進行CMOS工藝的n/p阱制作、源漏區注入；

利用CMOS工藝的n/p阱作為所述垂直雙極型器件的基區；

利用進行CMOS工藝的源漏區注入制作重摻雜區，重摻雜區作為垂直雙極型器件的發射區和基區。

3.如權利要求2所述的與BCD集成制造工藝兼容的垂直雙極型器件制造工藝，其特征在于，

所述在襯底上形成N型埋層是通過在襯底上注入砷As或者銻Sb來進行。

4.如權利要求2所述的與BCD集成制造工藝兼容的垂直雙極型器件制造工藝，其特征在于，

所述CMOS工藝的n阱作為垂直PNP器件的基區；

所述CMOS工藝的p阱作為垂直NPN器件的基區。