[發明專利]電壓敏感材料及其制備與應用有效
| 申請號: | 200810204133.5 | 申請日: | 2008-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN101747643A | 公開(公告)日: | 2010-06-23 |
| 發明(設計)人: | 李凱;宋華 | 申請(專利權)人: | 上海神沃電子有限公司 |
| 主分類號: | C08L101/00 | 分類號: | C08L101/00;C08K3/00;C08K3/36;C08K3/34;C08K3/14;C08K3/28;C08K3/22;C08K3/08;C08L63/00;H01B1/20;H01C7/10;H01C7/12 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 許亦琳;魏秀莉 |
| 地址: | 201108 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 敏感 材料 及其 制備 應用 | ||
技術領域
本發明涉及高分子材料,具體涉及電壓敏感材料及其制備與應用。
背景技術
功能高分子材料是目前材料科學研究的熱點,具有電壓敏感特性的高分 子電壓敏感材料便是其中的佼佼者,迄今學術界產業界都在踴躍地對它進行 研究開發。所謂的高分子電壓敏感材料通常由高分子聚合物、導電粒子、絕 緣粒子和半導體粒子復合而成。所述的高分子聚合物可以是熱塑性聚合物, 如聚烯烴,聚偏氟乙烯,聚酰胺,聚酯等,也可以是熱固性聚合物,如環氧 樹脂,有機硅樹脂,酚醛樹脂,聚酰亞胺樹脂等。導電粒子可以是銀,銅, 鎳,鋁,石墨,炭黑等材料。絕緣粒子有氧化鋁,二氧化硅,氧化鎂等。半 導體粒子有碳化硅,氧化鋅等。這種復合高分子材料的電阻隨兩端電壓變化 而呈非線性變化,也就是說,當施加在其兩端的電壓小于某個特定電壓值時, 材料為絕緣體,電阻很大;當施加在其兩端的電壓大于這個特定電壓值時, 材料轉變為導體,電阻很小。這個特定電壓值,我們稱之為觸發電壓。
集成電路(IC)技術的在電子領域得到越來越廣泛的應用,但是這種半 導體器件對外界影響敏感程度非常高,易于受到由外界靜電沖擊(ESD)引 起的過電壓損害。當集成電路(IC)受到高達數千伏的靜電沖擊時,將造成 高達幾十安培的瞬間放電尖峰電流。瞬間大電流會對IC造成嚴重損傷,從而 導致整臺電子設備的工作故障,帶來重大經濟損失。目前集成電路(IC)常 用保護電路有箝位二極管,壓敏電阻,穩壓管,TVS二極管等。但是,由于 ESD防護元件并聯在電路中使用,這就要求其結電容要盡可能的小,尤其是 對于高頻線路中,較高的結電容會造成信號噪音,影響IC的正常工作。
使用高分子電壓敏感材料制成的高分子ESD保護元件,是一種新的解決 方案,特點是沒有極性,安裝簡單,最主要的是結電容小,非常適合高頻線 路中應用。但是目前高分子電壓敏感材料使用的導電粒子為鎳和鋁等金屬材 料,容易產生表面氧化,從而影響到復合材料的穩定性,造成觸發電壓的升 高。
發明內容
本發明的目的是為了克服現有技術存在的缺陷,提供一種抗氧化性能良 好的高分子電壓敏感材料。
本發明的電壓敏感材料由包括下列組分及配比的原料復合而成:
有機高分子聚合物體積百分比為30%-70%;
導電粒子體積百分比為2%-20%;
半導體粒子體積百分比為10%-50%。
較佳的,本發明的電壓敏感材料的原料還包括體積百分比為0.1-50%的絕 緣粒子。
所述的高分子聚合物可以是熱塑性聚合物,如聚烯烴,聚偏氟乙烯,聚 酰胺,聚酯等,也可以是熱固性聚合物,如環氧樹脂,有機硅樹脂,聚氨酯, 酚醛樹脂,聚酰亞胺樹脂等。
所述的導電粒子為IV族金屬氮化物,或者IV族金屬碳化物,或者他們的 混合物,優選碳化鈦,氮化鈦。導電粒子之所以選擇IV族金屬氮化物或碳化 物,一方面是由于IV族金屬氮化物和碳化物具有接近金屬的導電性能,但是 在空氣中不會氧化,穩定性好;另一方面,研究發現,如果采用其他非金屬 導電物質如炭黑,石墨等,雖然也具有不易氧化的特性,但是由于其導電性 較差,如果要想制得具有電壓敏感性能的材料,需要填充量很大,造成這些 材料的耐大電壓能力很差,容易出現電弧,燃燒現象。
所述的絕緣粒子可選自氧化鋁、氫氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂或氫氧化 鎂中的一種或多種的混合。
所述的半導體粒子有碳化硅,氧化鋅和氧化鉍;也可以是鈣,鈮,釩, 鐵和鈦的氧化物;鈹,硼,釩的碳化物;鋅,銀,硅的硫化物;銦銻化物, 硒,硼,碲,鍺等。
本發明的電壓敏感材料可采用下列方法制備:
按比例混合原料,機械攪拌均勻后得到高分子壓敏材料漿料,固化后既 得本發明的電壓敏感材料。
本發明的電壓敏感材料可以用來制備壓敏元件,尤其適合制備線路過電 壓防護用電子元器件。
本發明進一步公開了一種過電壓防護用電子元器件,為采用本發明的電 壓敏感材料制得。
本發明的電壓敏感材料采用了IV族金屬氮化物和碳化物代替已有技術方 案中容易氧化的金屬導電粒子,由于IV族金屬氮化物和碳化物具有良好的導 電性能,并且在空氣中不會氧化。因此與現有技術相比,本發明的電壓敏感 材料具有更好的耐環境氧化性能。
附圖說明
圖1高分子電壓敏感材料測試用電極板示意圖,其中
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海神沃電子有限公司,未經上海神沃電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810204133.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





