[發(fā)明專利]SOI/CMOS集成電路輸出緩沖器的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810195909.1
• 申請(qǐng)日: 2008-09-04
• 公開（公告）號(hào): CN101355357A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛忠杰;羅靜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號(hào): H03K19/003
• 分類號(hào): H03K19/003
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 殷紅梅

1、一種SOI/CMOS集成電路輸出緩沖器的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是：增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)PMOS管源端通過(guò)半導(dǎo)體金屬鋁連接正電源(VDD)，增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)NMOS管源端通過(guò)半導(dǎo)體金屬鋁連接負(fù)電源(GND)；增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)PMOS管漏端與增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)NMOS管漏端通過(guò)金屬鋁連接形成輸出連接端(201)；正電源(VDD)通過(guò)金屬鋁連接P-型襯底柵控二極管(D1)的陰極，負(fù)電源(GND)通過(guò)金屬鋁連接N-型襯底柵控二極管(D2)的陽(yáng)極；P-型襯底柵控二極管(D1)的陽(yáng)極與N-型襯底柵控二極管(D2)的陰極通過(guò)金屬鋁連接形成另一輸出連接端(202)，連接端(202)同時(shí)與輸出緩沖器的輸出壓焊點(diǎn)通過(guò)金屬鋁連接；電阻(R_ESD)一端通過(guò)金屬鋁與連接端(201)連接，另一端通過(guò)金屬鋁與連接端(202)連接。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI/CMOS集成電路輸出緩沖器的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是：所述P-型襯底柵控二極管包括N+擴(kuò)散區(qū)(1)、P+擴(kuò)散區(qū)(2)、P-阱(3)、POLY柵(4)、BOX埋氧層(5)、襯底(6)及sio2隔離島(7)，P-阱(3)位于N+擴(kuò)散區(qū)(1)與P+擴(kuò)散區(qū)(2)中間，BOX埋氧層(5)生長(zhǎng)于襯底(6)之上，N+擴(kuò)散區(qū)(1)、P+擴(kuò)散區(qū)(2)、P-阱(3)及sio2隔離島(7)形成在BOX埋氧層(5)之上；POLY柵(4)在P-阱(3)之上；SiO₂隔離島(7)包圍P+擴(kuò)散區(qū)(2)。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI/CMOS集成電路輸出緩沖器的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是：所述N-型襯底柵控二極管包括P+擴(kuò)散區(qū)(8)、N+擴(kuò)散區(qū)(9)、N-阱(10)、POLY柵(11)、BOX埋氧層(12)、襯底(13)及sio2隔離島(14)，N-阱(10)位于P+擴(kuò)散區(qū)(8)與N+擴(kuò)散區(qū)(9)中間，BOX埋氧層(12)生長(zhǎng)于襯底(13)之上，P+擴(kuò)散區(qū)(8)、N+擴(kuò)散區(qū)(9)、N-阱(10)及sio2隔離島(14)形成在BOX埋氧層(12)之上；POLY柵(11)在N-阱(10)之上；SiO₂隔離島(14)包圍N+擴(kuò)散區(qū)(9)。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI/CMOS集成電路輸出緩沖器的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是：所述電阻R_ESD(15)為多晶電阻或擴(kuò)散電阻。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的SOI/CMOS集成電路輸出緩沖器的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是：所述電阻R_ESD(15)兩端分別通過(guò)接觸孔(16)與金屬鋁連線(17)連接。