[發明專利]半導體封裝及制造該半導體封裝的方法

有效

• 申請號: 200810184643.0
• 申請日: 2008-12-11
• 公開（公告）號: CN101459146A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 姜熙秀;李忠浩;趙慧珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L21/58
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿;陸錦華

相關申請的交叉引用

本申請根據35USC§119要求于2007年12月11日在韓國知識產 權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2007-128353的優先權，其公 開內容通過引用全部合并于本申請中。

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝及制造該半導體封裝的方法。更具體 地，本發明涉及一種包括可以電連接到外部器件的成型半導體芯片的 半導體封裝，以及制造包括可以電連接到外部器件的成型半導體芯片 的半導體封裝的方法。

背景技術

一般地，半導體存儲器器件可以被分類為易失性存儲器器件或非 易失性存儲器器件。易失性存儲器器件可以具有相對快速的數據輸入/ 輸出速率，但會隨著時間推移而丟失數據。非易失性存儲器器件可以 具有相對緩慢的數據輸入/輸出速率，但是即使當沒有功率提供到該器 件上時也可以持續很長時間地存儲數據。

非易失性存儲器器件可以根據其單元布局而被分類為NAND型閃 速存儲器器件或者NOR型閃速存儲器器件。NAND型閃速存儲器器件 可以包括其中單元晶體管相互串聯連接的單位串。單位串可以串聯連 接在位線和地線之間。與此不同，NOR型閃速存儲器器件可以包括相 互并聯連接在位線和地線之間的單元晶體管。

NAND型閃速存儲器器件可以包括多個在單元晶體管中的柵結 構、地選擇線、串選擇線和布置在柵結構外圍的公共源線。柵結構可 以包括柵電極和在柵電極下面的溝道區。

可以將電壓施加到單元晶體管的外圍中的公共源線上，以移動載 流子通過溝道區。當將電壓施加到單元晶體管的柵結構中的溝道區時， 載流子可被移動通過溝道區以存儲或者擦除數據。

然而，當操作存儲器器件的溫度增加時，在溝道區的晶格的活動 性會增加。因為晶格會阻斷載流子的移動，所以載流子的遷移率會減 小。因此，存儲器器件的工作電流會減小。

發明內容

一些實施例提供了半導體封裝和/或封裝方法，其中，所述半導體 封裝和/或封裝方法能夠補償由于在封裝內半導體芯片的溫度增加而引 起的載流子的低遷移率。

根據一些實施例的半導體封裝包括，其中，所述半導體芯片包括 半導體襯底和布置在該半導體襯底上的多個單元晶體管。單元晶體管 的溝道區具有在第一方向上延伸的溝道長度，并且該封裝進一步包括 具有在其上粘附有半導體芯片的上表面的支撐襯底。該支撐襯底可以 被構造成相應于溫度增加而以在第一方向上將拉應力施加到半導體芯 片的溝道區的方式彎曲。

支撐襯底可以被構造成相應于溫度增加而在朝向半導體芯片的方 向上彎曲。在一些實施例中，支撐襯底可以被構造成相應于溫度增加 而在與第一方向基本垂直的第二方向上彎曲。支撐襯底也可以被構造 成在沒有任何外部作用力的情況下相應于溫度的增加而彎曲。

支撐襯底可以包括雙金屬，該雙金屬包括第一金屬板和在第一金 屬板上的第二金屬板。第二金屬板可以處于第一金屬板和半導體芯片 之間，并且第一和第二金屬板每個都具有比半導體襯底的寬度大的寬 度。第一金屬板可以具有第一熱膨脹系數并且第二金屬板可以具有可 以比第一熱膨脹系數高的第二熱膨脹系數。在一些實施例中，第二熱 膨脹系數可以低于第一熱膨脹系數。

半導體封裝可以進一步包括支撐構件，該支撐構件被構造成用來 當支撐襯底彎曲時支撐支撐襯底的側表面。

半導體封裝可以進一步包括靠近支撐襯底的擠壓構件。該擠壓構 件可以被構造成相應于溫度增加而膨脹，從而相應于溫度的增加而擠 壓和彎曲支撐襯底。

半導體封裝可以進一步包括在半導體芯片和支撐襯底周圍的成型 構件。擠壓構件可包括下述構件，所述構件接觸支撐襯底的中央部分， 并且具有比成型構件的熱膨脹系數高的熱膨脹系數。

在一些實施例中，擠壓構件可以包括支撐構件，該支撐構件在第 一方向上接觸支撐襯底的側表面，并且可具有比成型構件的熱膨脹系 數高的熱膨脹系數。

根據一些實施例的制造半導體封裝的方法包括提供半導體芯片， 其中，所述半導體芯片包括半導體襯底和布置在該半導體襯底上的多 個單元晶體管。單元晶體管的溝道區具有在第一方向上延伸的溝道長 度，并且所述方法進一步包括將半導體芯片粘附到支撐襯底的上表面。 支撐襯底可以被構造成相應于溫度增加而以在第一方向上向半導體芯 片的溝道區施加拉應力的方式彎曲。