[發(fā)明專利]包括碳化硅的半導(dǎo)體處理部件及其化學(xué)處理方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810182572.0
• 申請日: 2008-12-03
• 公開（公告）號: CN101452826A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 詹尼弗·Y·孫;周愛琳;徐力;肯尼思·S·柯林斯;托馬斯·格瑞斯
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;B81C5/00;C23C16/56;H01J37/32
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 趙 飛;南 霆

1、一種從碳化硅部件表面去除由于機械加工受損的碳化硅晶體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

由液體氧化劑處理所述部件的碳化硅表面，其中所述處理將碳化硅轉(zhuǎn)化成二氧化硅；以及

由液體處理去除所述二氧化硅，

其中，所述碳化硅表面的所述處理和所述二氧化硅的所述去除每個都執(zhí)行至少一次，或者可依次重復(fù)執(zhí)行多次。

2、如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在由所述液體氧化劑對所述碳化硅表面進行所述處理之前，露出所述碳化硅部件的所述表面以使得所述表面更容易由所述液體氧化劑進行所述處理，其中，露出所述表面通過使用等離子蝕刻或液體蝕刻劑二者之一來完成，其中所述蝕刻劑是非氧化劑或氧化劑二者之一。

3、如權(quán)利要求1所述的方法，其中，從所述部件表面去除的碳化硅的量為深度至少0.05μm。

4、如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述深度范圍為約1μm到50μm。

5、如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述深度范圍為約1μm到5μm。

6、如權(quán)利要求1所述的方法，其中，由所述液體氧化劑對所述碳化硅表面進行的所述處理在約20℃到約200℃的溫度范圍內(nèi)在超聲波浴液內(nèi)進行，時間段范圍為約1小時到約100小時。

7、如權(quán)利要求6所述的方法，其中，由所述液體氧化劑對所述碳化硅表面進行的所述處理的時間段的范圍為約1小時到約40小時。

8、如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述二氧化硅的所述去除在約20℃到約200℃的溫度范圍內(nèi)在超聲波浴液內(nèi)進行，時間段范圍為約5分鐘到約100小時。

9、如權(quán)利要求8所述的方法，其中，由所述液體氧化劑對所述碳化硅表面進行的所述處理與二氧化硅的所述去除依次重復(fù)循環(huán)處理至少2次。

10、如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述液體氧化劑從包括下列物質(zhì)的組中選擇：KMnO₄、HNO₃、HClO₄、H₂O+H₂O₂+NH₄OH、H₂O₂+H₂SO₄及其混合物。

11、如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述液體氧化劑從包括下列物質(zhì)的組中選擇：KMnO₄、HNO₃、HClO₄、H₂O+H₂O₂+NH₄OH、H₂O₂+H₂SO₄及其混合物。

12、如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述液體氧化劑從包括下列物質(zhì)的組中選擇：KMnO₄、HNO₃、HClO₄、H₂O+H₂O₂+NH₄OH、H₂O₂+H₂SO₄及其混合物。

13、如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述氧化劑是KMnO₄。

14、如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述KMnO₄在蒸餾水中的濃度為約10％(重量)以完全濃縮在蒸餾水中。

15、如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述KMnO₄的濃度范圍為KMnO₄在蒸餾水中占約10％(重量)到在蒸餾水中占約35％(重量)。

16、如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述氧化劑是H₂O₂+H₂SO₄。