[發明專利]半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 200810178643.X
• 申請日: 2008-11-21
• 公開（公告）號: CN101442024A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 廣田祐作;菅野至
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/311
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 何欣亭;劉 紅

1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下工序：

(A)在半導體襯底上形成含銅的第1布線；

(B)在所述第1布線上形成蝕刻阻擋膜；

(C)在所述蝕刻阻擋膜上形成絕緣層；

(D)在所述絕緣層上形成達到所述蝕刻阻擋膜的通路孔；

(F)除去所述蝕刻阻擋膜，以使所述通路孔達到所述第1布線而使所述第1布線從所述通路孔露出；以及

(E)在所述(F)工序之前，用有機溶劑清洗所述通路孔和所述絕緣層的表面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述有機溶劑是具有98℃以上沸點的溶劑。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述有機溶劑是在質量％上具有67ppm以下的對水溶解度的溶劑。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述有機溶劑是氫氟醚。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于還包括(H)工序：

在所述(D)工序后和所述(F)工序前，在所述通路孔的上部形成布線槽。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述(E)工序在所述(H)工序前后的至少任一工序中進行。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于所述(E)工序包含如下工序：

(E1)在所述(H)工序之前，用所述有機溶劑進行清洗；

(E2)在所述(H)工序之后，用所述有機溶劑進行清洗。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于還包括(J)工序：

在所述(F)工序之后，用有機溶劑清洗露出的所述第1布線、所述通路孔及所述絕緣層的表面。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于還包括(G)工序：

在所述(F)工序之后，形成電連接至露出的所述第1布線的第2布線。

10.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述(E)工序中，進行將所述有機溶劑和噴射用氣體用噴嘴混合后向所述通路孔和所述絕緣層的表面噴射的雙流體噴射清洗。

11.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

用于所述清洗的所述有機溶劑的對水溶解度為2％質量以下，其沸點為80℃以上，蒸汽壓為0.01MPa以下，蒸發熱為120kJ/kg以下，密度為1g/cm³以上，表面張力在20℃、1013Pa時為72.8mN/m以下，對氣溶解度高于對水溶解度，且不具有閃點。

12.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在密閉室內，邊清除干燥空氣和氮氣中任一氣體，邊在氮氣氣氛中進行所述清洗。

13.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述(E)工序以單片超聲波清洗方式進行，其中用施加超聲波后的所述有機溶劑清洗所述通路孔和所述絕緣層的表面。

14.如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

用于所述清洗的所述有機溶劑的對水溶解度在2％質量以下，沸點為80℃以上，蒸汽壓為0.01MPa以下，蒸發熱為120kJ/kg以下，密度為1g/cm³以上，表面張力在20℃、1013hPa時為72.8mN/m以下，對氣溶解度高于對水溶解度，且不具有閃點。

15.如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在密閉室內，邊清除干燥空氣和氮氣中任一氣體，邊在氮氣氣氛中進行所述清洗。

16.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述(E)工序以浸漬超聲波清洗方式進行，其中使所述通路孔和所述絕緣層的表面浸漬在所述有機溶劑中并施加超聲波。