[發(fā)明專利]同軸晶體管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810171195.0
• 申請(qǐng)日: 2008-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101728431A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊春足
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 楊春足
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41;H01L27/092;H03K19/0948;H03K19/20
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種同軸晶體管結(jié)構(gòu)，是一種同軸p通道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，為一n型基板(301)或基板的n型井上制作加強(qiáng)型或空乏 型同軸晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括：

一p摻雜圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)(302)；及

一p摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)(303)；及

一在同一基板或井上且介于圓環(huán)形源極和汲極半導(dǎo)體區(qū)之間所形成圓 環(huán)形通道區(qū)(304)及此圓環(huán)形通道區(qū)(304)上方且被一氧化層(305)隔 絕的圓環(huán)形多晶硅或?qū)w閘極(306)；及

一連接所述p摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)(303)并以自身基板或井當(dāng)參 考電位的基體(307)；及

一連接基體(307)和圓環(huán)形源極的同軸外環(huán)形供電導(dǎo)體層(308)；及

一連接所述p摻雜圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)(302)的內(nèi)軸心導(dǎo)體(309)；

其特征為同軸p信道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)內(nèi)的p摻雜 圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)(302)、p摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)(303)、圓環(huán)形通 道區(qū)(304)、基體(307)、同軸外環(huán)形供電導(dǎo)體層(308)、以及內(nèi)軸心導(dǎo) 體(309)，是以同軸結(jié)構(gòu)型態(tài)組成，同軸晶體管者。

2.一種同軸p通道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，為一n型 基板或基板之n型井上制作加強(qiáng)型或空乏型同軸晶體管結(jié)構(gòu)，內(nèi)容包括：

一p摻雜圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)；及

一p摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)；及

一在同一基板或井上且介于圓環(huán)形源極和汲極半導(dǎo)體區(qū)之間所形成圓 環(huán)形通道區(qū)及此圓環(huán)形通道區(qū)上方且被一氧化層隔絕的圓環(huán)形多晶硅或?qū)? 體閘極；及

一連接所述p摻雜圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)并以自身基板或井當(dāng)參考電位 之基體；及

一連接基體和圓環(huán)形汲極的同軸外環(huán)形供電導(dǎo)體層；及

一連接所述p摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)之內(nèi)軸心導(dǎo)體；其特征為同軸p 信道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)內(nèi)的p摻雜圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)、 p摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)、圓環(huán)形通道區(qū)、基體、同軸外環(huán)形供電導(dǎo)體層、 以及內(nèi)軸心導(dǎo)體，系以同軸結(jié)構(gòu)型態(tài)組成的同軸晶體管者。

3.一種同軸晶體管結(jié)構(gòu)，是一種同軸n通道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，為一p型基板(311)或基板的p型井上制作加強(qiáng)型或空 乏型同軸晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括：

一n摻雜圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)(312)；及

一n摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)(313)；及

一在同一基板或井上且介于圓環(huán)形源極(313)和汲極半導(dǎo)體區(qū)(312) 之間所形成圓環(huán)形通道區(qū)(314)及此圓環(huán)形通道區(qū)(314)上方且被一氧 化層(315)隔絕的圓環(huán)形多晶硅或?qū)w閘極(316)；及

一連接所述n摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)(313)并以自身基板或井當(dāng)參 考電位的基體(317)；及

一連接基體(317)和圓環(huán)形源極的同軸外環(huán)形供電導(dǎo)體層(318)；及

一連接所述n摻雜圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)(312)的內(nèi)軸心導(dǎo)體(319)；

其特征為同軸n信道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)內(nèi)的n摻雜 圓環(huán)形汲極半導(dǎo)體區(qū)(312)、n摻雜圓環(huán)形源極半導(dǎo)體區(qū)(313)、圓環(huán)形通 道區(qū)(314)、基體(317)、同軸外環(huán)形供電導(dǎo)體層(318)、以及內(nèi)軸心導(dǎo) 體(319)，是以同軸結(jié)構(gòu)型態(tài)組成，的同軸晶體管者。