[發明專利]一種單晶硅片制絨的方法

有效

• 申請號: 200810170672.1
• 申請日: 2008-10-20
• 公開（公告）號: CN101409312A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發明（設計）人: 林海峰
• 申請（專利權）人: 寧海縣日升電器有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單晶硅片制絨的方法，包括腐蝕制絨、鈍化、去除離子，其特征在于：所述的腐蝕制絨為，將清洗后待制絨的單晶硅片，置于盛有由重量百分比為0.8％分析純的氫氧化鈉NaOH、5.3％電子級的異丙醇C₃H₃O、1.4％分析純的硅酸鈉Na₂SiO₃·9H₂O、92.5％的純水H₂O組成的制絨液的制絨槽中，在88℃±2℃液溫，一個大氣壓，0.15MPa氮氣微泡攪拌的條件下，腐蝕制絨25～35分鐘，在單晶硅片表面上腐蝕形成顯微錐體結構絨面的工序過程；所述的鈍化為，將腐蝕制絨后的單晶硅片，置于盛有由重量百分比為17.3％分析純的氫氟酸HF、82.7％的純水H₂O組成的鈍化液的反應槽中，在液溫為室溫，一個大氣壓，0.15MPa氮氣微泡攪拌的條件下，反應5～10分鐘，除去單晶硅片表面上的氧化層并形成硅氫鍵的鈍化處理過程；所述的去除離子為，將鈍化后的單晶硅片，置于盛有由重量百分比為21％分析純的鹽酸HCl、79％的純水H₂O組成的酸洗液的酸洗槽中，在液溫為室溫，一個大氣壓，0.15MPa氮氣微泡攪拌的條件下，中和酸洗5～10分鐘，去除殘留在單晶硅片表面上金屬離子的中和酸洗過程。

2.根據權利要求1所述的一種單晶硅片制絨的方法，其特征在于：所述的工藝流程為腐蝕制絨，鈍化，去除離子。